[发明专利]一种Dummy read控制方法、装置及介质在审
| 申请号: | 202111632253.7 | 申请日: | 2021-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN114415947A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
| 发明(设计)人: | 张志彬 | 申请(专利权)人: | 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
| 地址: | 250001 山东省济南市自由贸易试验*** | 国省代码: | 山东;37 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 dummy read 控制 方法 装置 介质 | ||
1.一种Dummy read控制方法,其特征在于,应用于Nand Flash存储器,包括:
每隔第一预设时间,检测所述Nand Flash存储器的工作环境;
根据所述Nand Flash存储器的工作环境,确定所述工作环境对应的预设时间间隔;其中,所述工作环境以及其对应的所述预设时间间隔经过测试得到,测试过程包括,设置所述Nand Flash存储器的工作环境,所述工作环境包括所述Nand Flash存储器的磨损阶段、工作环境温度,测试使用的所述Nand Flash存储器为至少两个,一个所述Nand Flash存储器对应一个测试时间间隔以便于根据对应的所述测试时间间隔测试,读取各所述Nand Flash存储器在测试结束时的数据,获取到所述数据中读取出错的位数,并根据所述读取出错的位数计算得到所述Nand Flash存储器的预设时间间隔;
按照确定出的所述预设时间间隔对所述Nand Flash存储器执行Dummy read操作。
2.根据权利要求1所述的Dummy read控制方法,其特征在于,所述测试过程中,所述读取各所述Nand Flash存储器的数据,并获取到所述数据中读取出错的位数包括:
读取各所述Nand Flash存储器中的数据,并记录各所述Nand Flash存储器读出错的位数;
在所述读取各所述Nand Flash存储器中的数据结束后的第二预设时间内,再次读取各所述Nand Flash存储器中的数据,并记录各所述Nand Flash存储器读出错的位数;
根据所述读取出错的位数计算得到所述Nand Flash存储器的预设时间间隔包括:
统计两次读取中各所述Nand Flash存储器中的数据读出错的位数,并根据两次读出错的位数及两次读出错的位数间的差进行统计测试得到所述Nand Flash存储器的预设时间间隔。
3.根据权利要求2所述的Dummy read控制方法,其特征在于,所述方法还包括:
将获取到的预设时间间隔相同的工作环境划分为一个工作区间;
所述每隔第一预设时间,检测所述Nand Flash存储器的工作环境包括:
每隔第一预设时间,检测所述Nand Flash存储器的工作区间;
所述根据所述Nand Flash存储器的工作环境,确定所述工作环境对应的预设时间间隔包括:
根据所述Nand Flash存储器的工作区间,确定所述工作环境对应的预设时间间隔。
4.根据权利要求3所述的Dummy read控制方法,其特征在于,所述方法还包括:
当所述Nand Flash存储器的工作区间变化时,发出警报,以便于用户根据当前的工作区间更改对应的预设时间间隔。
5.根据权利要求4所述的Dummy read控制方法,其特征在于,所述每隔对应的预设时间间隔对所述Nand Flash存储器执行Dummy read操作包括:
每隔对应的预设时间间隔对所述Nand Flash存储器异步执行所述Dummy read操作。
6.根据权利要求5所述的Nand Flash存储器的Dummy read控制方法,其特征在于,所述方法还包括:
记录所有的所述Dummy read操作,并生成数据进行储存。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的Nand Flash存储器的Dummy read控制方法,其特征在于,所述Nand Flash存储器的工作环境温度为0至70度,所述Nand Flash存储器的磨损阶段为0至10000次。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司,未经山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111632253.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





