[发明专利]一种基于flash存储器的文件存储方法和系统有效
申请号: | 202111612765.7 | 申请日: | 2021-12-27 |
公开(公告)号: | CN114265562B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 王帅;温嘉骏;王金梅 | 申请(专利权)人: | 北京国腾创新科技有限公司;南京国腾创兴科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 冯瑛琪 |
地址: | 100085 北京市海淀区上地信息路1号*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 flash 存储器 文件 存储 方法 系统 | ||
本发明涉及计算机技术领域,尤其涉及一种基于flash存储器的文件存储方法和系统,方法包括:判断待存储文件的大小是否超过预设阈值,当第一判断结果为是时,利用多个存储块存储对待存储文件进行存储,当删除待存储文件时,删除待存储文件对应的存储块;当第一判断结果为否时,利用碎片文件存储区对待存储文件进行存储,当删除待存储文件时,将待存储文件对应的原存储数据标记为脏数据。当删除待存储文件时,直接删除待存储文件对应的存储块,或者,将待存储文件对应的原存储数据标记为脏数据,不予删除,可以有效降低对flash存储器的擦除频率,在不占用太多资源的情况下实现均衡磨损,提高flash存储器的使用寿命。
技术领域
本发明涉及计算机技术领域,尤其涉及一种基于flash存储器的文件存储方法和系统。
背景技术
目前,常用的嵌入式设备一般采用flash存储器作为存储介质,FLASH存储器又称为闪存,它结合ROM(只读存储器,Read-Only Memory)和RAM(随机存取存储器,RandomAccess Memory)的优点,具有电子可擦除、可编程的性能,能够快速读取数据,还可以进行数据持久化,但使用寿命受到擦除次数限制,超过其擦写次数,flash存储器就会损坏,具体原因如下:
对flash存储器进行普通写操作时,即便需要写一个字节,也需要将整个flash页读入RAM,在RAM中将数据更改,最后再将整页回写。可以看出,如果经常更改某个特定页的小数据,会极大浪费资源,擦写达到一定数量时,此页将会坏掉,会造成数据丢失,也会使整个flash存储器寿命变低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足,提供了一种基于flash存储器的文件存储方法和系统。
本发明的一种基于flash存储器的文件存储方法的技术方案如下:
将flash存储器的每个逻辑页和每个实际物理页一一对应,形成映射关系;
将所述flash存储器的存储区域进行划分,得到大文件存储区和碎片文件存储区;
将所述大文件存储区的每个实际物理页划分为多个存储块,对每个存储块进行编号,得到编号数据;
判断待存储文件的大小是否超过预设阈值,得到第一判断结果;
当所述第一判断结果为是时,利用多个存储块存储对所述待存储文件进行存储,当删除所述待存储文件时,删除所述待存储文件对应的存储块;
当所述第一判断结果为否时,利用碎片文件存储区对所述待存储文件进行存储,当删除所述待存储文件时,将所述待存储文件对应的原存储数据标记为脏数据。
本发明的一种基于flash存储器的文件存储方法的有益效果如下:
当删除待存储文件时,直接删除待存储文件对应的存储块,或者,将待存储文件对应的原存储数据标记为脏数据,不予删除,可以有效降低对flash存储器的擦除频率,在不占用太多资源的情况下实现均衡磨损,提高flash存储器的使用寿命。
在上述方案的基础上,本发明的一种基于flash存储器的文件存储方法还可以做如下改进。
进一步,所述当所述第一判断结果为否时,利用碎片文件存储区对所述待存储文件进行存储,包括:
当所述第一判断结果为否时,利用FLASH存储器的最小存储单位的倍数对所述待存储文件进行数据补齐,将数据补齐后的待存储文件存储至所述碎片文件存储区的第一存储区域。
进一步,还包括:
当将所述待存储文件存储至所述碎片文件存储区的第一存储区域时,生成用于指向在所述碎片文件存储区的下一个存储区域的指针;
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