[发明专利]集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：包括玻璃基板以及与所述玻璃基板相对设置并且中间存在空腔的多个滤波器芯片，所述玻璃基板和滤波器芯片靠近所述空腔的一面为第一表面，远离所述空腔的一面为第二表面，所述滤波器芯片的第一表面包括设置在所述空腔内的谐振区以及所述谐振区以外的非谐振区，所述玻璃基板上设有贯穿第一表面和第二表面的通孔，投影区域在所述滤波器芯片的所述非谐振区上的所述通孔内填充金属并且所述金属延伸至所述玻璃基板的第一表面和第二表面形成金属互连结构，所述玻璃基板上设有与所述金属互连结构连接的电感结构，所述金属互连结构的表面设有键合区以及设置在所述键合区以外的钝化层，所述钝化层延伸覆盖至所述玻璃基板的第一表面和第二表面，在所述玻璃基板的第一表面上方的所述键合区与所述滤波器芯片的所述非谐振区之间通过导电键合物连接，所述滤波器芯片的第二表面上设有保护层，并且所述保护层从所述滤波器芯片的第二表面延伸覆盖至所述玻璃基板的第一表面。

2.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述钝化层在所述玻璃基板的第一表面的覆盖范围超出所述滤波器芯片在所述玻璃基板上的投影区域。

3.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述滤波器芯片的第一表面与所述玻璃基板的第一表面上的钝化层的上表面之间的距离为5-20μm。

4.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述钝化层的覆盖范围位于所述保护层在所述玻璃基板上的投影区域内。

5.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述电感结构在所述滤波器芯片上的投影区域位于所述空腔在所述滤波器芯片的投影区域内。

6.根据权利要求5所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述电感结构为所述通孔内填充的金属及其两端分别与在所述玻璃基板的第一表面和第二表面延伸形成的金属层连接所构成的三维电感。

7.根据权利要求5所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述电感结构为在所述玻璃基板的第一表面和/或第二表面上设有的螺旋状平面电感。

8.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述导电键合物的厚度为5-50μm。

9.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述导电键合物为锡球、金球或金属柱，所述玻璃基板的第一表面上方的所述键合区上设有基板焊盘，所述滤波器芯片的所述非谐振区上设有芯片焊盘。

10.根据权利要求9所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述钝化层的上表面比所述基板焊盘的上表面高至少5μm。

11.根据权利要求10所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述空腔设在所述钝化层的上表面与所述滤波器芯片之间，所述空腔的高度为5-20μm。

12.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述钝化层的材料为干膜或光刻胶，所述保护层的材料为塑封料。