[发明专利]一种固态电解质薄膜离子电导率的测试方法

权利要求书

1.一种固态电解质薄膜离子电导率的测试方法，其特征在于包括以下步骤：

1）采用金属或非金属基底；

2）对于金属基底，首先于金属基底上制备固态电解质薄膜，并在金属基底上留出无镀膜空白边，以作为测试电极，其次在固态电解质薄膜上制备顶层金属薄膜，作为外接的测试对电极；

或者对于非金属基底，首先在非金属基底上制备底层金属薄膜，其次在底层金属薄膜上制备固态电解质薄膜，使底层金属薄膜留出无镀膜空白边作为测试电极，最后于固态电解质薄膜上制备顶层金属薄膜，顶部金属薄膜作为测试对电极，形成底层金属薄膜-固态电解质薄膜-顶层金属薄膜的三明治夹层结构；

3）利用电化学工作站，分别以电解质薄膜的测试电极和测试对电极，采用交流阻抗A.CImpedance的测试方法，得到Z’阻抗实部与-Z’’阻抗虚部的曲线，通过计算得到电解质薄膜的离子电导率。

2.根据权利要求1所述的一种固态电解质薄膜离子电导率的测试方法，其特征在于：所述金属薄膜采用磁控溅射方法制备，所述金属薄膜厚度为10～500nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种固态电解质薄膜离子电导率的测试方法，其特征在于：固态电解质薄膜采用磁控溅射、化学液相法、化学气相沉积、ALD方法制备，所述固态电解质薄膜厚度为30-100um。

4.根据权利要求1或2所述的一种固态电解质薄膜离子电导率的测试方法，其特征在于：所述非金属基底为玻璃。