[发明专利]区块管理方法、存储器控制器和存储器存储装置

说明书

本发明提出一种区块管理方法、存储器控制器和存储器存储装置；所述方法包括：将固件分割成多个Bin‑X文档存储于存储器存储装置的实体区块中，然后在存储器存储装置需要来执行某一个或多个功能时，存储器控制器会从实体区块中读取对应的Bin‑X文档到存储器控制器的静态随机存取存储器中，以实现所述固件Bin‑X文档对应的功能。藉此，提供高性价比的高速读写性能的存储器存储装置。

技术领域

本发明涉及一种存储设备领域，尤其涉及一种区块管理方法、存储器控制器和存储器存储装置。

背景技术

闪存(Flash)是一种非挥发性的半导体存储芯片，具有体积小、功耗低、不易受物理破坏的优点，是移动数码产品的理想存储介质。闪存根据内部架构和实现技术可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种，NAND型闪存是非易失性的，所以很适合便携式数据存储设备。与NOR型闪存相比，NAND型闪存数据密度更大，并且价格更加便宜。

现有技术中，存储器存储装置的固件会烧录在存储器控制器内的只读存储器（Read-Only Memory，ROM）中，在存储器控制器运作时被载入存储器控制器内的静态随机存取存储器（Static Random Access Memory,简称SRAM）中来执行。但是，一方面烧录在ROM中的固件无法被修改的，另外一方面ROM的价格也比较贵。并且基于固件越来越大和复杂度也越来越复杂，以及固件的改版速度加快，使得固件码也必须能够被更新/修改。

还有就是由于固件越来越大，而大容量的SRAM价格也比较贵。导致载入到SRAM中的固件不能太大，因此要想提高存储器存储装置的读写速度，就必须买大容量的SRAM，从而导致高速读写性能的存储器存储装置的制造成本难以被有效地降低。

发明内容

为了解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是将固件存储于存储器存储装置中，所述存储器存储装置包括存储器模块，所述存储器模块包括多个实体区块，然后对存储有固件的区块的管理方法，该方法包括：

将所述存储器模块划分为数据区、闲置区、系统区与取代区，所述数据区、闲置区、系统区与取代区包括至少一个实体区块，所述实体区块包括多个实体页；所述数据区与闲置区的实体区块是用于存储数据，以及数据区的实体区块是被视为已存储数据的实体区块，而闲置区的实体区块是用于替换数据区的实体区块；所述取代区中的实体区块是用于坏实体区块取代程序，以取代所述数据区、闲置区、系统区中损坏的实体区块；所述系统区用于记录所述存储器存储装置的系统数据，且将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的实体区块中。

在另一实施例中，本发明还提出一种存储器控制器，用于控制存储器存储装置，其中所述存储器存储装置包括存储器模块，所述存储器控制器将所述存储器模块划分为数据区、闲置区、系统区与取代区，所述数据区、闲置区、系统区与取代区包括至少一个实体区块，所述实体区块包括多个实体页；其中，所述数据区与闲置区的实体区块是用于存储数据，以及数据区的实体区块是被视为已存储数据的实体区块，而闲置区的实体区块是用于替换数据区的实体区块；所述取代区中的实体区块是用于坏实体区块取代程序，以取代所述数据区、闲置区、系统区中损坏的实体区块；所述系统区用于记录所述存储器存储装置的系统数据；且所述存储器控制器包括：主机接口，用于连接至主机系统；存储器接口，用于连接至所述存储器模块；以及存储器控制电路，连接至所述主机接口与所述存储器接口；其中所述存储器控制电路将所述存储器存储装置的固件分割成多个Bin-X文档存储于所述系统区的实体区块中。