[发明专利]氮化物层的制造方法

权利要求书

1.一种用于获得至少一个氮化物层(550)的方法，所述至少一个氮化物层(550)至少部分由镓(Ga)、铟(In)和铝(Al)中的至少一种的氮(N)化物制成，所述方法包括以下连续步骤：

-提供叠层，所述叠层包括从所述叠层的衬底(100)延伸的多个焊盘(1000A1-1000B4)，所述焊盘(1000A1-1000B4)分布在所述衬底(100)上以形成焊盘(1000A1-1000B4)的至少一组(1000A，1000B)，每个焊盘(1000A1-1000B4)至少包括：

·结晶部段(300A1，300B4)；

·顶部(1010)，具有顶部面积，旨在针对焊盘形成晶核化层；

-微晶(510A1-510B4)，所述微晶(510A1-510B4)从所述组(1000A，1000B)的所述焊盘(1000A1-1000B4)中的至少一些的所述顶部(1010)外延生长，并继续所述微晶(510A1-510B4)的外延生长，直到由所述组(1000A,1000B)的所述相邻焊盘(1000A1-1000B4)承载的所述微晶(510A1-510B4)的聚结，以便在所述焊盘(1000A1-1000B4)的所述组(1000A，1000B)上形成所述氮化物层(550)；

所述至少一组的所述多个焊盘(1000A1-1000B4)包括至少一个称为保留焊盘的焊盘(1001)，和多个称为分离焊盘的其他焊盘(1002)，所述分离焊盘(1002)包括蠕变部段(220)，所述蠕变部段(220)由具有玻璃化转变温度T_{玻璃化转变}的非晶形材料形成，所述结晶部段(300)置于所述蠕变部段(220)上方；

所述至少一个保留焊盘(1001)与所述分离焊盘(1002)的不同之处在于至少一个参数取自：

-所述至少一个保留焊盘(1001)的顶部面积S_plotR，其中S_plotR≥1.2*S_plotS，S_plotR是所述分离焊盘(1002)的顶部面积；

-构成所述至少一个保留焊盘(1001)和所述分离焊盘(1002)的材料，所述保留焊盘(1001)：

·不具有蠕变部段；或者

·具有比所述分离焊盘(1002)的所述蠕变部段(220)更薄的蠕变部段；或者

·具有蠕变部段，所述蠕变部段的玻璃化转变温度T_{玻璃化转变}大于所述分离焊盘(1002)的所述蠕变部段的所述玻璃化转变温度T_{玻璃化转变}；

-距离D_R，D_R是将所述至少一个保留焊盘(1001)和与其相邻且属于所述组(1000A,1000B)的其他保留焊盘(1001)分离的距离，其中D_R*1.2≤D_S，D_S是将属于所述组(1000A，1000B)的所述相邻分离焊盘(1002)分离的距离。