[发明专利]一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构在审
| 申请号： | 202111582516.8 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114400505A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 任占强;王琛琛;李青民;李波;徐斌;孟锡俊;仇伯仓;李会利;杜美本;杨欢 | 申请（专利权）人： | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 郑丽红 |
| 地址： | 710077 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 波长 发射 半导体激光器 外延 结构 | ||
1.一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，其特征在于：包括由下至上依次设置的N型衬底、出射波长为λ1的量子阱单元、第一陷阱隧道结、出射波长为λ2的量子阱单元、第二陷阱隧道结、出射波长为λ3的量子阱单元和P型接触层；
出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元通过第一陷阱隧道结串联，第一陷阱隧道结用于调制出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元激射的光场；
出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元通过第二陷阱隧道结串联，第二陷阱隧道结用于调制出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元激射的光场；
所述第一陷阱隧道结和第二陷阱隧道结均包括由下至上依次设置的P型陷阱层、P型重掺杂层、N型重掺杂层和N型陷阱层；其中N型陷阱层和N型重掺杂层共同作用，将位于其上方的量子阱单元激射出的高阶模限制在N型陷阱层中，同时与P型重掺杂层作用，形成隧穿效应；P型重掺杂层与P型陷阱层共同作用，将位于其下方的量子阱单元激射出的高阶模限制在P型陷阱层中，同时与N型重掺杂层作用，形成隧穿效应，连接上下两个量子阱单元。
2.根据权利要求1所述的用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，其特征在于：出射波长为λ1的量子阱单元的激射波长为755nm，出射波长为λ2的量子阱单元的激射波长为808nm；出射波长为λ3的量子阱单元的激射波长为1064nm。
3.根据权利要求1所述的用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，其特征在于：出射波长为λ1的量子阱单元包括由下至上依次设置的N-Alx1GaAs层、U-Alx2GaAs层、Inx3Alx4GaAs层、U-Alx2GaAs层、P-Alx1GaAs层。
4.根据权利要求1所述的用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，其特征在于：出射波长为λ2的量子阱单元包括由下至上依次设置的N-Aly1GaAs层、U-Aly2GaAs层、Iny3Aly4GaAs层、U-Aly2GaAs层、P-Aly1GaAs层。
5.根据权利要求1所述的用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，其特征在于：出射波长为λ3的量子阱单元包括由下至上依次设置的N-Alz1GaAs层、U-Alz2GaAs层、Inz3Alz4GaAs层、U-Alz2GaAs层、P-Alz1GaAs层。
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