[发明专利]光检测装置在审
申请号: | 202111581390.2 | 申请日: | 2016-03-04 |
公开(公告)号: | CN114420712A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 佐野拓也;若野寿史 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N9/04 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 装置 | ||
1.一种光检测装置,其包括:
第一像素组,其在平面图中包括第一浮动扩散区域以及构造为检测可见光的第一光电转换单元、第二光电转换单元、第三光电转换单元和第四光电转换单元,其中所述第一光电转换单元、所述第二光电转换单元、所述第三光电转换单元和所述第四光电转换单元共用所述第一浮动扩散区域;和
第二像素组,其在所述平面图中包括第二浮动扩散区域以及构造为检测红外光的第五光电转换单元、第六光电转换单元、第七光电转换单元和第八光电转换单元,其中所述第五光电转换单元、所述第六光电转换单元、所述第七光电转换单元和所述第八光电转换单元共用所述第二浮动扩散区域。
2.根据权利要求1所述的光检测装置,
其中所述第一像素组在所述平面图中邻近所述第二像素组。
3.根据权利要求1所述的光检测装置,
其中所述第一浮动扩散区域连接至第一放大晶体管,其中所述第二浮动扩散区域连接至第二放大晶体管。
4.根据权利要求3所述的光检测装置,
其中所述第一放大晶体管不同于所述第二放大晶体管。
5.根据权利要求1所述的光检测装置,
其还包括:第三像素组,其在所述平面图中包括第三浮动扩散区域以及构造为检测可见光的第九光电转换单元、第十光电转换单元、第十一光电转换单元和第十二光电转换单元,其中所述第九光电转换单元、所述第十光电转换单元、所述第十一光电转换单元和所述第十二光电转换单元共用所述第三浮动扩散区域。
6.根据权利要求5所述的光检测装置,
其中所述第三像素组在所述平面图中邻近所述第一像素组和所述第二像素组。
7.一种光检测装置,包括:
第一像素组,其在平面图中包括第一浮动扩散区域以及第一光电转换单元、第二光电转换单元、第三光电转换单元和第四光电转换单元,其中所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元构造为检测可见光,其中所述第三光电转换单元和所述第四光电转换单元构造为检测红外光,其中所述第一光电转换单元、所述第二光电转换单元、所述第三光电转换单元和所述第四光电转换单元共用所述第一浮动扩散区域;和
第二像素组,其在所述平面图中包括第二浮动扩散区域以及第五光电转换单元、第六光电转换单元、第七光电转换单元和第八光电转换单元,其中所述第五光电转换单元和所述第六光电转换单元构造为检测可见光,其中所述第七光电转换单元和所述第八光电转换单元构造为检测红外光,其中所述第五光电转换单元、所述第六光电转换单元、所述第七光电转换单元和所述第八光电转换单元共用所述第二浮动扩散区域。
8.根据权利要求7所述的光检测装置,
其中所述第一像素组在所述平面图中邻近所述第二像素组。
9.根据权利要求7所述的光检测装置,
其中所述第一浮动扩散区域连接至第一放大晶体管,其中所述第二浮动扩散区域连接至第二放大晶体管。
10.根据权利要求9所述的光检测装置,
其中所述第一放大晶体管不同于所述第二放大晶体管。
11.根据权利要求7所述的光检测装置,
其还包括:第三像素组,其在所述平面图中包括第三浮动扩散区域以及构造为检测可见光的第九光电转换单元、第十光电转换单元、第十一光电转换单元和第十二光电转换单元,其中所述第九光电转换单元、所述第十光电转换单元、所述第十一光电转换单元和所述第十二光电转换单元共用所述第三浮动扩散区域。
12.根据权利要求11所述的光检测装置,
其中所述第三像素组在所述平面图中邻近所述第一像素组和所述第二像素组。
13.根据权利要求7所述的光检测装置,
其中所述第三光电转换单元和所述第四光电转换单元在所述平面图中邻近所述第七光电转换单元和所述第八光电转换单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的