[发明专利]一种透射电镜样品的制备方法

说明书

本发明公开了一种透射电镜样品的制备方法，包括：将载网和样品水平放置于样品台表面，并焊接样品至载网上；调整载网和样品与样品台表面垂直，沿第一方向对样品的第一表面进行切割，以减薄样品的第二表面；调整载网和样品与样品台表面平行，并将样品从载网上取下；调整载网与样品台表面垂直；重新焊接样品至载网上，沿第一方向对样品的第二表面进行切割，以减薄样品的第一表面，直至样品暴露待检测位置。本发明实施例提供的技术方案，在透射电镜样品的制备过程中，通过改变载网与样品台的相对位置，实现对于样品多个表面的观察与切割，提高切割的准确性；另外，通过旋转载网的方式调整切割面，无需技术人员调整样品位置，操作简单、容易实现。

技术领域

本发明涉及半导体制造及分析领域，尤其涉及一种透射电镜样品的制备方法。

背景技术

目前随着半导体的技术飞速发展，芯片研发和失效分析需求量日益剧增，针对小制成芯片或失效点较小的芯片，通常会对样品进行切割，将样品制成能够用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope，TEM)观察的微小结构，从而对样品失效点进行分析。

目前行业内在制样时，往往只是对同一方向的样品表面进行切割，如图1和图2所示，图1中为平面下切割样品，图2中为截面下切割样品。但上述两种方法，在制样过程中均难以观察样品全貌，制样效率较低，并且有可能对目标位置造成破坏。

发明内容

针对上述问题，本发明实施例提供了一种透射电镜样品的制备方法，以对芯片失效位置进行精确切割，提升制样效率。

本发明实施例提供的一种透射电镜样品的制备方法，包括：

将载网和样品水平放置于样品台表面，并焊接样品至载网上；

调整载网和样品与样品台表面垂直，沿第一方向对样品的第一表面进行切割，以减薄样品的第二表面，直至样品暴露待检测位置；第一表面与第二表面相接；

调整载网和样品与样品台表面平行，并将样品从载网上取下；

调整载网与样品台表面垂直；

重新焊接样品至载网上，沿第一方向对样品的第二表面进行切割，以减薄样品的第一表面，直至样品暴露待检测位置，得到透射电镜样品。

本发明实施例提供的技术方案，在透射电镜样品的制备过程中，能够根据样品状态，通过改变载网与样品台的相对位置，调整样品的切割面，以对样品的不同表面进行切割，直至露出待检测位置，在切割过程中，可以实现对于样品多个表面的观察与切割，提高切割的准确性；另外，通过旋转载网的方式调整切割面，无需技术人员调整样品位置，操作简单、容易实现。

附图说明

图1为现有技术中平面下对样品进行切割的方法示意图；

图2为现有技术中截面下对样品进行切割的方法示意图；

图3为本发明实施例提供的一种透射电镜样品的制备方法的流程图；

图4为本发明实施例提供的一种载网水平放置的结构示意图；

图5本发明实施例提供的一种FIB机台内离子枪、电子枪和物体间的相对位置示意图；

图6本发明实施例提供的另一种FIB机台内离子枪、电子枪和物体间的相对位置示意图；

图7为本发明实施例提供的一种载网垂直放置的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的一种沿第一方向对样品的第一表面进行切割的示意图；

图9为本发明实施例提供的一种沿第一方向对样品的第二表面进行切割的示意图；

图10为本发明实施例提供的另一种沿第一方向对样品第一表面进行切割的示意图；