[发明专利]一种透射电镜样品的制备方法

权利要求书

1.一种透射电镜样品的制备方法，其特征在于，包括：

将载网和样品水平放置于样品台表面，并焊接所述样品至所述载网上；

调整所述载网和所述样品与所述样品台表面垂直，沿第一方向对所述样品的第一表面进行切割，以减薄所述样品的第二表面，直至所述样品暴露待检测位置；所述第一表面与所述第二表面相接；

调整所述载网和所述样品与所述样品台表面平行，并将所述样品从所述载网上取下；

调整所述载网与所述样品台表面垂直；

重新焊接所述样品至所述载网上，沿所述第一方向对所述样品的第二表面进行切割，以减薄所述样品的第一表面，直至所述样品暴露所述待检测位置，得到透射电镜样品。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述焊接所述样品至所述载网上之前，还包括：

将初始样品固定在所述样品台上，根据所述待检测位置确定目标区域，所述目标区域包括所述待检测位置；

对所述初始样品进行切割获得所述样品。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沿第一方向对所述样品的第一表面进行切割，包括：

采用离子束切割工艺，沿第一方向对所述样品的第一表面进行切割；

沿所述第一方向对所述样品的第二表面进行切割，包括：

采用离子束切割工艺，沿所述第一方向对所述样品的第二表面进行切割。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沿第一方向对所述样品的第一表面进行切割，包括：

在所述第一表面制备第一保护层，所述第一保护层覆盖所述待检测位置；

沿第一方向对为未覆盖所述第一保护层的区域进行切割，保留覆盖所述第一保护层的区域；

沿所述第一方向对所述样品的第二表面进行切割，包括：

在所述第二表面制备第二保护层，所述第二保护层覆盖所述待检测位置；

沿所述第一方向对为未覆盖所述第二保护层的区域进行切割，保留覆盖所述第二保护层的区域。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述第一表面制备第一保护层，包括：

利用气体注入系统在所述样品上方沉积第一保护层；

在所述第二表面制备第二保护层，包括：

利用气体注入系统在所述样品上方沉积第二保护层。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述样品从所述载网上取下，包括：

采用纳米手臂将所述样品从所述载网上取下；

重新焊接所述样品至所述载网上，包括：

采用所述纳米手臂将所述样品放置在所述载网上，并焊接所述样品和所述载网；其中，所述纳米手臂从所述载网上取下所述样品时以及所述纳米手臂将所述样品放置在所述载网时，所述纳米手臂保持相同的姿态。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用纳米手臂将所述样品从所述载网上取下，包括：

采用离子束切割工艺，将所述样品与所述载网连接的一侧切断，将所述纳米手臂抬起，以使所述样品与所述载网断开连接。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述初始样品进行切割获得所述样品，包括：

采用离子束切割工艺，在所述目标区域的第一侧和第二侧对所述初始样品进行切割，所述第一侧和第二侧相对设置；

采用离子束切割工艺，在所述目标区域的第三侧对所述初始样品进行切割，所述第三侧分别与所述第一侧和所述第二侧相交；

采用纳米手臂与所述目标区域焊接，焊接点靠近所述目标区域的第三侧；

采用离子束切割工艺，在所述目标区域的第四侧对所述初始样品进行切割，所述第四侧与所述第三侧相对设置，获得所述样品。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用离子束切割工艺，在所述目标区域的第一侧和第二侧对所述初始样品进行切割之前，还包括：

在所述目标区域表面制备第三保护层。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，调整所述载网和所述样品与所述样品台表面垂直，沿第一方向对所述样品的第一表面进行切割，以减薄所述样品的第二表面，直至所述样品暴露待检测位置；包括：

采用电子束成像工艺对所述样品进行观测，直至观测到所述待检测位置时停止切割；

重新焊接所述样品至所述载网上，沿所述第一方向对所述样品的第二表面进行切割，以减薄所述样品的第一表面，直至所述样品暴露所述待检测位置，包括：

采用电子束成像工艺对所述样品进行观测，直至观测到所述待检测位置时停止切割。