[发明专利]一种高精度限流折返保护电路在审
申请号: | 202111572196.8 | 申请日: | 2021-12-21 |
公开(公告)号: | CN114281140A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 李现坤 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨强;杨立秋 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高精度 限流 折返 保护 电路 | ||
1.一种高精度限流折返保护电路,其特征在于,包括输出功率单元、采样单元、电流比较单元、输出电压检测单元、选通单元、第一参考电流单元、第二参考电流单元和箝位电路;
所述采样单元对所述输出功率单元进行采样,并将采样电流复制到电流比较单元;
所述输出电压检测单元检测输出电压的变化,根据检测结果判决选通参考电流;参考电流与限流阈值存在一一成比例对应关系,通过检测输出电压判决选通参考电流实现限流折返功能:当线性稳压器的负载电流小于限流保护阈值时,参考电流为IREF1,此时线性稳压器的限流保护阈值为ICL1;当线性稳压器的负载电流大于限流保护阈值时检测到输出电压变化,将参考电流切换为IREF2,将线性稳压器的限流保护阈值由ICL1下降为ICL2,从而实现限流折返功能;参考电流IREF2小于参考电流IREF1;
所述电流比较单元将采样电流与参考电流比较,根据比较结果判决限流保护是否触发。
2.如权利要求1所述的高精度限流折返保护电路,其特征在于,所述采样单元根据所述输出功率单元的器件类型,为PMOS管或NMOS管;所述采样单元的采样电流连接NMOS管MN1的漏极和第一运放器A1的正输入端,所述第一运放器A1的负输入端连接输出端口OUT;所述第一运放器A1的输出端连接NMOS管MN1的栅极和NMOS管MN2的栅极。
3.如权利要求2所述的高精度限流折返保护电路,其特征在于,所述输出电压检测单元为检测比较器A2,其正输入端连接输出端口OUT,负输入端连接检测参考电压VFL,输出端连接所述选通单元的控制输入端口。
4.如权利要求3所述的高精度限流折返保护电路,其特征在于,所述第一参考电流单元、第二参考电流单元均与所述选通单元连接,所述输出电压检测单元的输出端控制所述选通单元的参考电压,当选通单元选通第一参考电压VREF1时,对应第一参考电流单元,当选通单元选通第二参考电压VREF2时,第二参考电流单元;
所述选通单元的输出端连接第三运放器A3的正输入端,所述第三运放器A3的负输入端连接NMOS管MN3的源极,所述NMOS管MN3的漏极连接PMOS管MP1的栅极和源极,所述NMOS管MN3的源极通过电阻RPCL接地。
5.如权利要求4所述的高精度限流折返保护电路,其特征在于,所述第三运放器A3、NMOS管MN3和电阻RPCL组成负反馈环路,产生参考电流。
6.如权利要求5所述的高精度限流折返保护电路,其特征在于,所述箝位电路为PMOS管MP5,其栅极连接PMOS管MP2的源极和NMOS管MN2的漏极。
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