[发明专利]堆叠半导体器件和制造其的方法

权利要求书

1.一种堆叠半导体器件，包括：

衬底；

第一晶体管，形成在所述衬底上，并包括被第一栅极结构和第一源极/漏极区围绕的第一有源区；以及

第二晶体管，堆叠在所述第一晶体管上，并包括被第二栅极结构和第二源极/漏极区围绕的第二有源区，

其中，关于其间的虚拟平面，所述第一有源区和所述第一栅极结构分别与所述第二有源区和所述第二栅极结构垂直镜像对称。

2.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管之间不形成中段工序结构。

3.根据权利要求2所述的堆叠半导体器件，还包括形成在所述第一晶体管和所述第二晶体管的堆叠一侧的互连结构，

其中所述互连结构包括后段工序(BEOL)结构，以及

其中所述第一源极/漏极区中的至少一个和所述第二源极/漏极区中的至少一个通过所述互连结构连接。

4.根据权利要求3所述的堆叠半导体器件，其中所述后段工序结构包括贯通硅通路(TSV)。

5.根据权利要求2所述的堆叠半导体器件，其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构包括相同的功函数材料。

6.根据权利要求2所述的堆叠半导体器件，其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构包括不同的功函数材料。

7.根据权利要求2所述的堆叠半导体器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管均包括p型金属氧化物半导体(PMOS)或n型金属氧化物半导体(NMOS)。

8.根据权利要求2所述的堆叠半导体器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管分别包括p型金属氧化物半导体(PMOS)和n型金属氧化物半导体(NMOS)，或者分别包括n型金属氧化物半导体和p型金属氧化物半导体。

9.根据权利要求2所述的堆叠半导体器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个是纳米片晶体管或鳍式场效应晶体管。

10.根据权利要求2所述的堆叠半导体器件，还包括：

第一隔离层，插置在所述第一有源区和所述第二有源区之间；以及

第二隔离层，插置在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间。

11.根据权利要求10所述的堆叠半导体器件，其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构包括相同的功函数材料。

12.根据权利要求10所述的堆叠半导体器件，其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构包括不同的功函数材料。

13.根据权利要求10所述的堆叠半导体器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管均包括p型金属氧化物半导体(PMOS)或n型金属氧化物半导体(NMOS)。

14.根据权利要求10所述的堆叠半导体器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管分别包括p型金属氧化物半导体(PMOS)和n型金属氧化物半导体(NMOS)，或者分别包括n型金属氧化物半导体和p型金属氧化物半导体。

15.根据权利要求10所述的堆叠半导体器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个是纳米片晶体管或鳍式场效应晶体管。

16.根据权利要求2所述的堆叠半导体器件，还包括：

第一金属图案，连接到所述第一栅极结构；以及

第二金属图案，连接到所述第二栅极结构，并关于所述虚拟平面与所述第一金属图案垂直镜像对称。