[发明专利]一种利用有机硅烷合成二氧化硅粉末的方法在审

专利信息
申请号: 202111570016.2 申请日: 2021-12-21
公开(公告)号: CN114105150A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 邸道远;金彦章;房满义;秦云峰;韩晖;王永和 申请(专利权)人: 安徽中创电子信息材料有限公司;蚌埠中恒新材料科技有限责任公司
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12
代理公司: 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 代理人: 王琪;颜晓玲
地址: 233000 安徽省蚌*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 有机 硅烷 合成 二氧化硅 粉末 方法
【说明书】:

发明公开一种利用有机硅烷合成二氧化硅粉末的方法,步骤是将高纯度混合有机硅烷分散在甲醇中,获得混合有机硅烷溶液;将纯水、催化剂、甲醇分散在反应器中;将混合有机硅烷溶液慢速加入至反应器中,加料结束后,继续匀速搅拌反应2小时;加入适量纯水后,负压加热蒸发浓缩回收醇溶剂和催化剂;将反应器中的剩余浆料用纯水洗涤至接近中性,干燥,得到二氧化硅粉末。本申请采用有机硅烷水解法,将按一定比例混合的混合有机硅烷座位水解主要原料,经过水解、蒸发回收、水洗和干燥工序合成二氧化硅粉末,成为满足合成石英的原料。通过采用混合有机硅烷的加入方式,增大了二氧化硅粉末的一次粒径,有利于提高产品品质。

技术领域

本发明属于硅基材料制造领域,具体涉及一种有机硅烷合成二氧化硅粉末的方法。

背景技术

高纯二氧化硅材料具有优异的耐高温性能(1100℃以上长期使用)、极低的膨胀系数、极高的抗热振性能、耐急冷急热、高温稳定性、高度绝缘、耐腐蚀以及优异的光学特性,广泛应用于半导体、光学、新能源(光伏)、航空航天(军工)等行业,是半导体、光伏行业的基础关键原材料。高纯二氧化硅主要有天然二氧化硅和合成二氧化硅两种。杂质少、品位高的石英砂经过一系列的提纯工艺制得天然二氧化硅。由于近年来,半导体、光伏行业在我国快速发展,品位高的石英砂需求量越来越大,且原料矿砂基本依靠进口。所以,合成二氧化硅依然是半导体行业发展的必然趋势。

合成二氧化硅,工艺上主要有水玻璃离子交换法、四氯化硅法和有机硅烷水解法等。水玻璃离子交换法有产品纯度低、粒径不易控制和制备过程水资源消耗大等缺点;四氯化硅法由于有大量的氯离子产生,无法排除干净,氯离子的存在,很容易对金属设备产生腐。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服上述工艺缺点,提供一种利用有机硅烷合成二氧化硅粉末的方法,采用有机硅烷水解法,条件温和、生产工艺简单,同时水解过程的催化剂在系统中闭路循环,水解产生的醇类经过分离提纯重新返回水解设备,可以重复利用,非常环保,极大的降低了生产成本。此外,有机硅烷的终端原料为金属硅粉,国内原料供应充足。

为解决上述技术问题,本发明提供了一种利用有机硅烷合成二氧化硅粉末的方法,包括以下步骤:

(1)将15质量份高纯度有机硅烷分散在15~25质量份甲醇中,获得混合有机硅烷溶液;

(2)将1~3质量份纯水、1~3质量份催化剂和10~20质量份甲醇分散在反应器中;

(3)将步骤(1)的混合有机硅烷溶液在2h内加入到反应器中,加入结束后,继续在反应温度为5~30℃下匀速搅拌反应2h;

(4)加入10质量份纯水后,负压加热蒸发浓缩回收醇溶剂和催化剂,蒸发浓缩的温度保持在70~95℃;

(5)将反应器中的剩余浆料用纯水洗涤至中性,600℃温度下干燥,即可得到二氧化硅粉末。

具体地,步骤(1)所述的催化剂为硫酸、盐酸、硝酸、柠檬酸、安息香酸、草酸、甲酸、乙酸、高浓度电子级氨水、四甲基氢氧化铵或四乙基氢氧化铵中的一种;所述的催化剂将混合液的pH值调节为2~4或9~11。

具体地,步骤(2)所述的有机硅烷为四甲氧基硅烷(TMOS)与四乙氧基硅烷(TEOS)或/和甲基三甲氧基硅烷(MTMS)的混合物,其中四甲氧基硅烷(TMOS)的质量至少占60%。

本发明主要取得的有益效果是:采用以四甲氧基硅烷(TMOS)为主,以四乙氧基硅烷(TEOS)和/或甲基三甲氧基硅烷(MTMS)为辅的混合有机硅烷作为水解原料的方式,在纯水、催化剂和甲醇体系中进行充分的水解反应后,通过负压加热蒸发浓缩回收醇溶剂,将反应器中的剩余浆料用纯水洗涤至中性,经过600℃干燥处理,脱去粉末中的结合水和有机物等杂质,最后得到二氧化硅粉末。这样的二氧化硅粉末具有较大的一次粒径,有利于提高产品品质,成为满足后道煅烧工段的原料。

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