[发明专利]一种提高多层镀覆材料胶接性能的表面处理方法有效
申请号: | 202111567609.3 | 申请日: | 2021-12-21 |
公开(公告)号: | CN113937007B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 刘伟恒;陈志钊;徐俊 | 申请(专利权)人: | 广东华智芯电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;B23K26/0622;B23K26/352 |
代理公司: | 佛山市正则青芒专利代理事务所(普通合伙) 44807 | 代理人: | 温甲平 |
地址: | 528000 广东省佛山市南海区狮山镇软*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 多层 镀覆 材料 性能 表面 处理 方法 | ||
1.一种提高多层镀覆材料胶接性能的表面处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
(S1)设置表面处理区域图层:按照所需进行胶接的区域进行软件绘制,获取用于对多层镀覆材料进行表面处理的区域图层;
(S2)利用激光器发出的功率为5-10W,频率为50-70KHz的第一激光,按照步骤(S1)中的表面处理区域图层对多层镀覆材料的表面进行预处理,第一激光扫描该多层镀覆材料的表面并使该表面熔融,得到表面粗糙的预处理表面;
(S3)利用激光器发出的功率为15-20W,频率为30-50KHz的第二激光,按照步骤(S1)中的表面处理区域图层对步骤(S2)中的预处理表面进行二次处理,第二激光扫描该预处理表面,得到具有特定钩榫结构的胶接表面;
(S4)将步骤(S3)处理后的多层镀覆材料进行超声波水洗处理;
(S5)将步骤(S4)处理后的多层镀覆材料进行干燥处理。
2.根据权利要求1所述的提高多层镀覆材料胶接性能的表面处理方法,其特征在于,步骤(S1)中,按照所需进行胶接的区域进行软件绘制包括:先按照所需进行胶接的区域设计区域图层的形状和尺寸,再用填充线对区域图层进行填充;
填充线先从左向右进行填充,再从右向左进行填充,然后按照该方式循环填充,直至区域图层填充完毕;
填充线之间的线间距小于0.05mm。
3.根据权利要求1所述的提高多层镀覆材料胶接性能的表面处理方法,其特征在于,步骤(S2)中,所述预处理表面的表面粗糙度Ra为0.5-0.7。
4.根据权利要求1所述的提高多层镀覆材料胶接性能的表面处理方法,其特征在于,步骤(S4)中,超声波水洗处理包括:将多层镀覆材料置于超声波清洗机中,采用纯水进行超声波清洗,清洗时间为5-10分钟。
5.根据权利要求4所述的提高多层镀覆材料胶接性能的表面处理方法,其特征在于,所述纯水的电阻率大于等于13MΩ•cm。
6.根据权利要求1所述的提高多层镀覆材料胶接性能的表面处理方法,其特征在于,步骤(S5)中,干燥处理包括:先采用热风刀将多层镀覆材料表面吹干,再进行烘烤干燥。
7.根据权利要求1所述的提高多层镀覆材料胶接性能的表面处理方法,其特征在于,步骤(S2)和步骤(S3)中,所述激光器为IPG光纤激光器,所述第一激光和所述第二激光为脉冲激光,脉冲激光的波长为1064nm,脉宽为200ns。
8.根据权利要求7所述的提高多层镀覆材料胶接性能的表面处理方法,其特征在于,所述IPG光纤激光器上设有用于调节激光脉宽的主控振荡器的功率放大器,所述第一激光和所述第二激光的脉宽调节为120ns。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造