[发明专利]一种显示面板及显示装置在审
申请号: | 202111566712.6 | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN114373793A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 李国鹏;杨新帅;邹敏;王隽 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06V40/13 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括指纹识别区和非指纹识别区;所述显示面板还包括:
设置在衬底基板一侧的像素限定层,所述像素限定层包括分隔体和多个用于容置子像素单元的开口;
设置在所述像素限定层和所述子像素单元远离所述衬底基板一侧的封装层;
设置在所述封装层远离所述像素限定层和所述子像素单元一侧的彩色滤光层,所述彩色滤光层包括对应所述分隔体设置的遮光层和对应所述子像素单元设置的色阻;
其中,位于所述指纹识别区的所述遮光层至少包括第一遮光区域,所述第一遮光区域至少包括红外量子点层;
在所述子像素单元发出的可见光经过指纹反射至所述红外量子点层后,所述红外量子点层发出红外光照射至指纹识别模组。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,位于所述指纹识别区的所述遮光层还包括第二遮光区域;
优选地,所述第一遮光区域为对应所述指纹识别模组设置的区域,所述第二遮光区域为所述遮光层除所述第一遮光区域以外的区域。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第二遮光区域采用黑色遮光材料制作;
位于所述非指纹识别区的所述遮光层采用黑色遮光材料制作。
4.根据权利要求1-3中任一所述的显示面板,其特征在于,所述遮光层还包括:控光层,所述控光层设置在所述红外量子点层远离所述封装层的一侧,或者设置在所述红外量子点层靠近所述封装层的一侧。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述控光层包括多个超构透镜,一个超构透镜对应所述指纹识别模组中的一个指纹识别传感器;
优选地,所述超构透镜包括多个阵列排布的纳米天线;
优选地,所述纳米天线的形状为长方体、圆柱体、立体T型、立体V型中的至少一种;
优选地,当所述纳米天线的形状为长方体时,所述纳米天线的长度、宽度和高度均在700-1500nm的范围内,所述纳米天线的摆放角度在0°-360°的范围内,相邻两个所述纳米天线之间的距离大于或者等于800nm。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述控光层包括多个微透镜,一个微透镜对应所述指纹识别模组中的一个指纹识别传感器;
优选地,所述微透镜包括相互对合的第一透镜单元和第二透镜单元,所述第一透镜单元与所述第二透镜单元对合的一面呈凸面;
优选地,当第一透镜单元的凸面朝向出光方向时,所述第二透镜单元的折射率大于所述第一透镜单元的折射率;当第一透镜单元的凸面背离出光方向时,所述第一透镜单元的折射率大于所述第二透镜单元的折射率。
7.根据权利要求1-3中任一所述的显示面板,其特征在于,所述遮光层还包括:设置在所述红外量子点层靠近所述封装层一侧的可见光阻隔层,所述可见光阻隔层用于透过红外光、且阻隔可见光;
优选地,所述可见光阻隔层的材料为砷化镓GaAs、碲化镉CdTe、硅Si、锗Ge中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述彩色滤光层还包括:
设置在所述遮光层和所述色阻靠近所述封装层一侧的第一缓冲层;和/或,
设置在所述遮光层和所述色阻远离所述封装层一侧的第二缓冲层;
优选地,所述第一缓冲层中包括散射粒子。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述红外量子点层采用红外量子点材料制作;
优选地,所述红外量子点材料的发光波长在800nm-2000nm的范围内;
优选地,所述红外量子点材料的发光波长为940nm;
优选地,所述红外量子点材料为硫化铅PbS、硒化铅PbSe、碲化铅PbTe、碲化镉CdTe中的至少一种。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9中任意一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的