[发明专利]一种多层阻变存储器的形成方法

权利要求书

1.一种多层阻变存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有下电极，所述下电极接触所述半导体衬底的上表面；

在所述半导体衬底上淀积第一氧含量的氧化物，形成位于所述半导体衬底上的第一阻变层；

在所述第一阻变层上淀积第二氧含量的所述氧化物，形成位于所述第一阻变层上的第二阻变层，所述第二氧含量大于所述第一氧含量；

在所述第二阻变层上淀积第一氧含量的所述氧化物，形成位于所述第二阻变层上的第三阻变层；

对所述第三阻变层进行氧化处理，使得所述第三阻变层转换为第四阻变层，所述第四阻变层的氧含量大于所述第三阻变层的氧含量；

在所述第四阻变层上形成上电极；

图形化上电极、第一阻变层、第二阻变层和第四阻变层，形成存储器。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氧化物的淀积方式均为物理气相淀积方式、化学气相淀积方式或原子层淀积方式中的任意一种方式。

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述氧化物为氧化铜，氧化铝、氧化铪、氧化钛或氧化钽中的至少一种。

4.根据权利要求1至3任一项所述的形成方法，其特征在于，所述上电极和所述下电极的金属材料包括铜、铝、铪、钛、钽、氮化钛或氮化钽中的至少一种。

5.根据权利要求1至3任一项所述的形成方法，其特征在于，对所述第三阻变层进行氧化处理，包括：

采用氧化性气体对第三阻变层进行氧化处理，所述氧化处理温度为100℃至400℃。

6.根据权利要求1至3任一项所述的形成方法，其特征在于，在所述第四阻变层上形成上电极，包括：

采用物理气相淀积、化学气相淀积或原子层淀积，在所述第四阻变层上形成上电极。

7.根据权利要求1至3任一项所述的形成方法，其特征在于，所述氧化性气体为氧气、臭氧或笑气。