[发明专利]芯片失效分析的样品制备方法及样品制备设备

说明书

本申请提供一种芯片失效分析的样品制备方法及样品制备设备。该方法在对待处理芯片的背面进行去除，直至暴露出待处理芯片中裸片的背面；将处理后的芯片的背面固定在玻璃板上，并对处理后的芯片上的各锡球进行凹陷处理，得到相应带孔锡球；采用预设的焊线机，基于配置的焊线调试参数，通过目标导线将凹陷处理后的带孔锡球与分析电路板电连接。该方法克服了现有技术中不能对多于8个锡球的芯片进行失效分析的问题，提高了失效分析的成功率和分析效率。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种芯片失效分析的样品制备方法及样品制备设备。

背景技术

一般来说，集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免。在提高产品良率的过程中，产品工程师需要对问题产品进行电性失效分析，从而对产品进行诊断。通过电性失效分析，往往可以找出缺陷在版图上的位置。一般的，对芯片的电流异常使用热点定位分析法。

现有技术中，对设置有锡球的芯片进行热点定位分析时，最多可以同时对扎8根探针，即可同时对8个锡球.按测试条件供电，定位出失效亮点。若芯片上的锡球多于8个，则无法对该芯片进行失效分析。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种芯片失效分析的样品制备方法及样品制备设备，克服了现有技术存在的上述问题，可实现对多于8个锡球的芯片进行失效分析，提高了失效分析的成功率和分析效率。

第一方面，提供了一种芯片失效分析的样品制备方法，所述待处理芯片具有正面以及与所述正面相对的背面，且正面设置有多个锡球，该方法可以包括：

对待处理芯片的背面进行去除，直至暴露出所述待处理芯片中裸片的背面；

将处理后的芯片的背面固定在玻璃板上，并对所述处理后的芯片上的各锡球进行凹陷处理，得到相应带孔锡球；

采用预设的焊线机，基于配置的焊线调试参数，通过目标导线将凹陷处理后的带孔锡球与分析电路板电连接。

在一个可选的实现中，将处理后的芯片的背面固定在玻璃板上，包括：

采用无影胶将处理后的芯片的背面固定在玻璃板上。

在一个可选的实现中，所述玻璃板的透光率不小于92％。

在一个可选的实现中，所述玻璃板的厚度范围为0.13～0.16mm。

在一个可选的实现中，对所述处理后的芯片上的各锡球进行凹陷处理，得到相应带孔锡球，包括：

采用预设直径的针头，在所述处理后的芯片上的各锡球的正上方向下按压，得到所述各锡球对应的带孔锡球。

在一个可选的实现中，所述针头的直径小于所述各锡球的直径中的最小直径。

在一个可选的实现中，所述针头的直径为10um。

在一个可选的实现中，所述焊线调试参数包括：120～140℃的焊接温度、200～240ms的焊接时长、250～290mA的焊接电流、20～25g的焊接压力。

在一个可选的实现中，将所述处理后的芯片的背面固定在玻璃板上之后，所述方法还包括：

将固定的处理后的芯片放置在分析电路板的窗口中，其中，所述窗口的边缘与相邻的所述处理后的芯片的边缘的距离大于1mm。

在一个可选的实现中，对待处理芯片的背面进行去除，直至暴露出所述待处理芯片中裸片的背面，包括：

采用定位设备，确定所述待处理芯片中裸片的背面的边缘位置；

采用研磨方式，对待处理芯片的背面进行研磨，研磨至所述裸片的背面的边缘位置，暴露出所述待处理芯片中裸片的背面。