[发明专利]芯片失效分析的样品制备方法及样品制备设备在审

专利信息
申请号: 202111564272.0 申请日: 2021-12-20
公开(公告)号: CN114371383A 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 何桂港;郑朝晖 申请(专利权)人: 上海季丰电子股份有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 舒淼
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 芯片 失效 分析 样品 制备 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种芯片失效分析的样品制备方法,所述待处理芯片具有正面以及与所述正面相对的背面,且正面设置有多个锡球,其特征在于,所述方法包括:

对待处理芯片的背面进行去除,直至暴露出所述待处理芯片中裸片的背面;

将处理后的芯片的背面固定在玻璃板上,并对所述处理后的芯片上的各锡球进行凹陷处理,得到相应带孔锡球;

采用预设的焊线机,基于配置的焊线调试参数,通过目标导线将凹陷处理后的带孔锡球与分析电路板电连接。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,将处理后的芯片的背面固定在玻璃板上,包括:

采用无影胶将处理后的芯片的背面固定在玻璃板上。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述玻璃板的透光率不小于92%。

4.如权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述玻璃板的厚度范围为0.13~0.16mm。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述处理后的芯片上的各锡球进行凹陷处理,得到相应带孔锡球,包括:

采用预设直径的针头,在所述处理后的芯片上的各锡球的正上方向下按压,得到所述各锡球对应的带孔锡球。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述针头的直径小于所述各锡球的直径中的最小直径。

7.如权利要求5或6所述的方法,其特征在于,所述针头的直径为10um。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述焊线调试参数包括:120~140℃的焊接温度、200~240ms的焊接时长、250~290mA的焊接电流、20~25g的焊接压力。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述处理后的芯片的背面固定在玻璃板上之后,所述方法还包括:

将固定的处理后的芯片放置在分析电路板的窗口中,其中,所述窗口的边缘与相邻的所述处理后的芯片的边缘的距离大于1mm。

10.一种样品制备设备,其特征在于,所述设备包括处理器、通信接口、存储器和通信总线,其中,处理器,通信接口,存储器通过通信总线完成相互间的通信;

存储器,用于存放计算机程序;

处理器,用于执行存储器上所存储的程序时,实现权利要求1-9任一所述的方法步骤。

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