[发明专利]一种优化MEMS光开关切换串扰的方法在审

专利信息
申请号: 202111564032.0 申请日: 2021-12-20
公开(公告)号: CN114815075A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 郇霞;龚磊;黄焱铖 申请(专利权)人: 武汉嘉迅光电有限公司
主分类号: G02B6/35 分类号: G02B6/35
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 祝蓉蓉
地址: 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 优化 mems 开关 切换 方法
【说明书】:

发明公开一种优化MEMS光开关切换串扰的方法,所述方法包括:确定每个光纤端口的防串扰安全电压区域;在切换过程中,通过控制切换电压使光信号切换路径避开防串扰安全电压区域。本发明在不进行端口筛选且保证所有端口都能正常工作的前提下,对所有端口的光串扰进行优化,保证任意两端口之间的切换都不会对其它光端口产生串扰,且生产工艺简单,易于实现。

技术领域

本发明属于光纤通信领域,具体涉及一种优化MEMS(微机电系统)光开关切换串扰的方法,可以有效改善MEMS光开关切换过程中的光串扰,提升光通信系统的整体性能指标。

背景技术

光开关是光通信系统的基础光器件之一,是进行光信号切换路由控制的关键产品,其性能指标一直都是光通信系统重点考虑的参数。随着MEMS技术的发展和在光通信领域的深入应用,MEMS光开关以其小尺寸、低功耗等显著优势,逐渐成为光开关的主要实现技术,市场规模逐年扩大。

现有MEMS光开关的基本设计都是基于二维光纤阵列来实现,通过控制二维MEMS芯片的多角度旋转,可控制光信号在二维光纤阵列之间进行切换,实现光信号在不同方向之间的路由控制。但此种设计也引入新的问题,随着二维光纤阵列数量的增加,光信号在目标端口之间切换时,容易对切换过程中的端口产生光功率冲击,对非目标端口产生光串扰。

目前业界的MEMS光开关基本都不能保证切换过程中的光串扰,尤其是高端口数目的光开关,会对切换过程中的很多端口产生大的光功率干扰。

针对上述问题,现有的解决方案之一是通过整体系统来统一解决,不单独解决MEMS光开关的光串扰问题,此种解决方案的问题是增加了整体系统的成本和复杂度。另外的解决方案是在MEMS光开关的输出端口之间进行挑选,筛选出没有切换光串扰的端口,但引入的问题是降低了MEMS光开关的端口数目,减少了其可以进行光信号路由的数量,也增加了生产和应用的成本。

因此,业界普遍需要进行相关的技术研究,在不进行端口筛选的基础上,优化MEMS光开关的串扰,并保证所有端口都能正常工作。

发明内容

为克服上述现有技术的不足,本发明提供一种优化MEMS光开关切换串扰的方法,在不进行端口筛选且保证所有端口都能正常工作的前提下,对所有端口的光串扰进行优化,保证任意两端口之间的切换都不会对其它光端口产生串扰,且生产工艺简单,易于实现。

本发明是通过以下技术方案予以实现的:

一种优化MEMS光开关切换串扰的方法,所述方法包括:

确定每个光纤端口的防串扰安全电压区域;

在切换过程中,通过控制切换电压使光信号切换路径避开防串扰安全电压区域。

上述技术方案在不改变现有标准MEMS光开关结构的基础上,通过在每个端口附近设立防串扰安全电压区域,标记出不会产生光串扰的范围,并通过控制安全切换路径,保证了任意两端口之间的切换都不会对其它端口产生光串扰。

作为进一步的技术方案,确定每个光纤端口的防串扰安全电压区域进一步包括:

获取每个端口纤芯的最佳电压值;

设定纤芯的防串扰目标值;

基于纤芯的最佳电压值和防串扰目标值,确定每个纤芯的防串扰安全电压区域。

该技术方案利用纤芯的最佳电压值与设定的防串扰目标值,得到每个纤芯的防串扰安全电压区域,以纤芯的最佳电压值为参考点,左右延伸一防串扰安全电压区域形成该纤芯的防串扰安全区,只要切换电压不落入该防串扰安全区,则不会对该纤芯端口产生串扰。

作为进一步的技术方案,利用平面xy坐标轴定义各光纤端口,对于任一光纤端口而言,其防串扰安全电压区域由纤芯的x轴安全电压范围和y轴安全电压范围来界定。

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