[发明专利]一种驱动高边NMOS管的自举电路

权利要求书

1.一种驱动高边NMOS管的自举电路，其特征在于，在电源电压VIN的基础上产生高于电源电压VIN的自举电压VBOOT，用于驱动高边NMOS管，

所述驱动高边NMOS管的自举电路包括电平位移电路、驱动逻辑电路、驱动管模块和自举模块；

所述电平位移电路将低压电源域的输入控制信号转换为高压电源域的输出控制信号；

所述驱动逻辑电路包括高边驱动逻辑电路和低边驱动逻辑电路，分别控制高边驱动管与低边驱动管的导通与关断状态；

所述驱动管模块包括高边驱动管和低边驱动管，为后端电路提供负载电流；

所述自举模块产生高压电源域，为所述电平位移电路与所述高边驱动逻辑电路提供电源，实现对所述高边NMOS管的控制；

所述电平位移电路的输入端IN与所述低边驱动逻辑电路的第二输出端OUT2连接；所述电平位移电路的第一输出端OUT1接入所述自举模块，所述电平位移电路的第二输出端OUT2接入所述高边驱动逻辑电路；

所述高边驱动逻辑电路的使能控制输入端EN连接所述电平位移电路的第二输出端OUT2，所述高边驱动逻辑电路的主脉冲控制输入端IN连接PWM信号二，所述高边驱动逻辑电路的第一输出端OUT1接入所述高边驱动管，所述高边驱动逻辑电路的第二输出端OUT2连接所述低边驱动逻辑电路的使能控制输入端EN；

所述低边驱动逻辑电路的主脉冲控制输入端IN连接PWM信号一，所述低边驱动逻辑电路的使能控制输入端EN连接所述高边驱动逻辑电路的第二输出端OUT2，所述低边驱动逻辑电路的第一输出端OUT1接入所述低边驱动管，所述低边驱动逻辑电路的第二输出端OUT2连接所述电平位移电路的输入端IN。

2.如权利要求1所述的驱动高边NMOS管的自举电路，其特征在于，所述高边驱动管的栅极与所述高边驱动逻辑电路的第一输出端OUT1连接，所述高边驱动管的漏极与电源电压VIN连接，所述高边驱动管的源极与高压电源域的浮动地VSW连接；

所述低边驱动管的栅极与所述低边驱动逻辑电路的第一输出端OUT1连接，所述低边驱动管的源极与低压电源域的地VSS连接，所述低边驱动管的漏极与高压电源域的浮动地VSW连接，浮动地VSW接入所述自举模块。

3.如权利要求2所述的驱动高边NMOS管的自举电路，其特征在于，所述自举模块包括外置泵电容CBOOT和自举充电P型高压LDMOS管；

所述外置泵电容CBOOT的正端与自举电压VBOOT连接，所述外置泵电容CBOOT的负端与浮动地VSW连接；

所述自举充电P型高压LDMOS管的栅极与所述电平位移电路的第一输出端OUT1相连，所述自举充电P型高压LDMOS管的源极与自举电压VBOOT连接，所述自举充电P型高压LDMOS管的漏极与电源电压VIN连接。