[发明专利]一种碳化硼复合陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种碳化硼复合陶瓷的制备方法，其特征在于，包括制备复合粉体，复合粉体改性，造粒，注射成型，真空脱脂，一次烧结，二次烧结；

所述制备复合粉体，将碳化硼粉体，氧化锌粉体，二氧化硅粉体，二水硫酸钙粉体，一水硫酸镁粉体混合均匀后置于球磨机中进行球磨，球磨结束后得到初级混合粉，然后向初级混合粉表面喷淋活性液，喷淋结束后进行微波震荡，微波震荡结束得到初混料，将初混料置于真空干燥箱中进行真空干燥，真空干燥结束得到复合粉体；

其中，碳化硼粉体，氧化锌粉体，二氧化硅粉体，二水硫酸钙粉体，一水硫酸镁粉体的质量比为35-40：5-8：7-9：2-3：1-3；

所述初级混合粉与活性液的质量比为1：3-4；

所述活性液的组成，按重量份计，包括：30-35份无水乙醇，3-4份三乙胺，2-3份脂肪醇聚氧乙烯醚，1-3份聚苯乙烯磺酸钠，1-2份丙烯酰胺；

所述复合粉体改性，将复合粉体，黄原胶，硅藻土，纳米氮化硼混合均匀后置于球磨机中，在球磨前先将球磨罐内抽真空，然后通入氮气作为保护气体后进行球磨，球磨结束得到混合粉体，然后将混合粉体置于γ-射线辐射场中进行辐照，控制吸收剂量为80-100KGy，辐照结束得到改性后的复合粉体；

其中，复合粉体，黄原胶，硅藻土，纳米氮化硼的质量比为25-30：2-3：3-5：1-2；

所述造粒，将改性后的复合粉体置于造粒机中造粒，将造粒机的温度控制在130-140℃，获得粒径为30-50目的圆形粉料；

所述一次烧结，将脱脂后的坯体置于真空烧结炉中，以单质硅掩埋后在真空下进行烧结，控制真空度为0.02-0.03MPa，烧结温度为1500-1550℃，烧结时间为1-1.5h，然后自然冷却至室温后得到一次烧结后的复合陶瓷；

所述二次烧结，将一次烧结后的复合陶瓷置于真空烧结炉中，以渗钛助剂掩埋后在真空下进行烧结，烧结结束后自然冷却至室温后得到碳化硼复合陶瓷；

所述渗钛助剂的组成，按重量份计，包括：60-70份钛粉，10-12份氯化铝，5-10份氧化锌，2-5份氧化钙。

2.根据权利要求1所述的碳化硼复合陶瓷的制备方法，其特征在于，所述注射成型，将圆形粉料置于注射机料盒中，控制加热温度为150-160℃，通过注射机成型后得到生坯。