[发明专利]一种器件的制造方法及承载板在审
申请号: | 202111544524.3 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114203623A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 李卫东;李新连;赵志国;赵东明;张赟;夏渊;秦校军;熊继光;梁思超 | 申请(专利权)人: | 华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L31/0224;H01L31/0463;H01L31/0465;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
地址: | 100036 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 器件 制造 方法 承载 | ||
本申请提供一种器件的制造方法及承载板,承载板可以包括框架和与框架连接的多个横梁,框架用于承载待处理衬底,待处理衬底具有多个条状的栅线区域以及栅线区域之间的非栅区域,栅线区域用于形成导电栅线,待处理衬底上形成有透明导电膜层,透明导电膜层上的非栅区域形成有有机涂层,在框架上承载有待处理衬底时,横梁位于待处理衬底的下方,且覆盖非栅区域中的部分区域,即覆盖部分有机涂层,这样在形成导电材料层时,导电材料层不会形成在横梁覆盖的区域,利用有机溶剂溶解有机涂层,可以去除有机涂层和有机涂层上的导电材料层,形成位于栅线区域的导电栅线,有机溶剂与未被导电材料层覆盖的有机涂层接触,脱模效率较高,提高栅线的制造效率。
技术领域
本申请涉及能源技术领域,特别涉及一种器件的制造方法及承载板。
背景技术
太阳能薄膜电池又称为太阳能芯片或光电池,是一种利用太阳光直接发电的光电器件,常见的薄膜太阳能电池有碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)、非晶硅(a-Si∶H)、砷化镓(GaAs)和钙钛矿太阳能电池等。薄膜太阳能电池的基本结构是通常由PN结半导体层及前后电极组成,一般地,太阳能电池包括第一电极、电子传输层、光吸收层、空穴传输层和第二电极,光吸收层在光照下可以产生电子空穴对,通过电子传输层可以传输电子至第一电极,通过空穴传输层可以传输空穴至第二电极,从而产生电流。电子传输层、光吸收层、空穴传输层等可称为功能层。
特别的,受光侧电极层通常采用透明导电氧化物薄膜材料(TCO),从该膜层的功能需求角度要求其同时具有高的透过性和高的导电性。该膜层一方面用于收集电荷并在面内传输,因而要求该膜层具有尽量高的导电性;另一方面,受光侧的电极膜还需要具有较高的透过率以便让更多的光线进入吸收层从而激发光生载流子。但从技术层面讲,透明导电膜层的导电性和透过性互相制约,无法同时获得最大的导电性和最高的透过率。为了有效地收集载流子,可在透明导电薄膜表面制备金属栅线,以提高载流子收集能力,同时可以最大程度降低TCO层的厚度,提高光线透过率。
通常可用光刻的方法在电池表面制备金属栅线,以提高载流子收集能力,同时可以最大程度降低TCO层的厚度,提高光线透过率。
利用光刻法制备金属栅线的工艺步骤如下:
a)采用印刷方式,将光刻胶均匀涂覆在电池芯片的表面。印刷完成后进行烘烤固化。
b)将有栅线形状的掩膜版覆盖在芯片表面,利用UV光透过掩膜版照射进行部分曝光。
c)在显影溶液中进行显影,洗去被曝光部分的光刻胶。
d)通过蒸发镀膜方式,在经过显影的基板上镀制一层金属膜。
e)将基板浸入有机溶剂中,洗去光刻胶及其上的金属膜,最后剩下具有栅线形状的金属线。
而在以上脱膜序中,膜层表面全部覆盖金属膜层,有机溶剂难以接触光刻胶,导致脱膜效率低下。
发明内容
有鉴于此,本申请的目的在于提供一种器件的制造方法及承载板,用于提高栅线的形成效率。
为实现上述目的,本申请提供了一种承载板,包括:
框架,用于承载待处理衬底,所述待处理衬底具有多个条状的栅线区域以及所述栅线区域之间的非栅区域,所述栅线区域用于形成导电栅线;
与所述框架连接的多个横梁;在所述框架上承载有所述待处理衬底时,所述横梁位于所述待处理衬底的下方,且覆盖所述非栅区域中的部分区域,以阻止所述导电栅线的材料形成于所述横梁覆盖的区域。
可选的,多个所述栅线区域平行设置,多个所述横梁平行设置。
可选的,所述导电栅线的宽度范围为5~50μm,相邻的所述栅线区域之间的间距范围为0.5~5mm,所述横梁的宽度小于相邻的所述栅线区域之间的间距。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造