[发明专利]一种器件的制造方法及承载板在审
申请号: | 202111544524.3 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114203623A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 李卫东;李新连;赵志国;赵东明;张赟;夏渊;秦校军;熊继光;梁思超 | 申请(专利权)人: | 华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L31/0224;H01L31/0463;H01L31/0465;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
地址: | 100036 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 器件 制造 方法 承载 | ||
1.一种承载板,其特征在于,包括:
框架,用于承载待处理衬底,所述待处理衬底具有多个条状的栅线区域以及所述栅线区域之间的非栅区域,所述栅线区域用于形成导电栅线;
与所述框架连接的多个横梁;在所述框架上承载有所述待处理衬底时,所述横梁位于所述待处理衬底的下方,且覆盖所述非栅区域中的部分区域,以阻止所述导电栅线的材料形成于所述横梁覆盖的区域。
2.根据权利要求1所述的承载板,其特征在于,多个所述栅线区域平行设置,多个所述横梁平行设置。
3.根据权利要求2所述的承载板,其特征在于,所述导电栅线的宽度范围为5~50μm,相邻的所述栅线区域之间的间距范围为0.5~5mm,所述横梁的宽度小于相邻的所述栅线区域之间的间距。
4.一种器件的制造方法,其特征在于,包括:
提供待处理衬底;所述待处理衬底上形成有透明导电膜层,以及所述透明导电膜层上的有机涂层,以及位于栅线区域且贯穿所述有机涂层的刻蚀槽;
利用如权利要求1-3任意一项所述的承载板承载所述待处理衬底,形成覆盖所述有机涂层和所述刻蚀槽的导电材料层;所述承载板的横梁覆盖部分有机涂层,以阻止所述导电材料层形成于所述横梁覆盖的区域;
利用有机溶剂溶解所述有机涂层,以去除所述有机涂层和所述有机涂层上的导电材料层,位于所述栅线区域的导电材料层作为导电栅线;所述透明导电膜层和所述导电栅线作为下电极材料层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,还包括:在所述下电极材料层上依次形成功能材料层和上电极材料层;所述功能材料层用于产生和传输光生载流子。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述功能材料层包括依次层叠的电子传输层、光吸收层和空穴传输层。
7.根据权利要求4-6任意一项所述的方法,其特征在于,所述刻蚀槽还贯穿部分或全部透明导电膜层。
8.根据权利要求4-6任意一项所述的方法,其特征在于,所述导电栅线的材料为以下材料的一种或多种:金、银、铜、铝、镍、石墨烯。
9.根据权利要求4-6任意一项所述的方法,其特征在于,所述有机涂层为光刻胶层,所述有机溶剂为DMSO。
10.根据权利要求5或6所述的方法,其特征在于,太阳能电池器件包括多个电池单元;在所述透明导电膜层上依次形成功能材料层和上电极材料层,包括:
对所述下电极材料层进行刻划,以形成第一沟槽,所述第一沟槽将所述下电极材料层分为所述多个电池单元的下部电极;
在所述下电极材料层上以及所述第一沟槽中形成功能材料层;
对所述功能材料层进行刻划,以形成第二沟槽;所述第二沟槽将所述功能材料层分为所述多个电池单元的功能层;
在所述功能材料层上以及所述第二沟槽中形成上电极材料层;
对所述上电极材料层进行刻划,以形成第三沟槽,所述第三沟槽将所述上电极材料层分为多个电池单元的上部电极;上部电极的至少一部分透过所述第二沟槽与相邻的电池单元中的下部电极连接,以实现多个电池单元的串联。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造