[发明专利]压力调节装置以及具备其的基板处理装置

说明书

本发明提供压力调节装置以及具备其的基板处理装置。压力调节装置包括：保管罐，保管要向所述腔室提供的气体；第一供应管线，从外部管线向所述保管罐供应所述气体；第二供应管线，从所述保管罐向所述腔室供应所述气体；排出管线，用于从所述腔室向排出口排出所述气体；以及控制部，对配置于所述第一供应管线、第二供应管线以及所述排出管线的阀进行控制。所述排出管线包括：第一开闭阀和第二开闭阀，彼此并联连接于所述腔室的排出端；以及第三开闭阀，与所述腔室的排出端连接。当从所述腔室排出气体时，所述控制部控制成开启所述第一开闭阀以及所述第二开闭阀，若开启所述第一开闭阀以及所述第二开闭阀后经过预定时间则开启所述第三开闭阀。

技术领域

本发明涉及压力调节装置，更具体地涉及用于控制腔室内压力的压力调节装置以及具备其的基板处理装置。

背景技术

半导体(或者显示器)制造工艺作为用于在基板(例如：晶圆)上制造半导体元件的工艺，例如包括曝光、蒸镀、蚀刻、离子注入、清洗等。在此，半导体制造工艺可以包括使用高压气体对基板执行处理的工艺。

另一方面，在使用高压气体的工艺的情况下，为了更迅速的工艺处理，需要用于迅速地向腔室内部供应气体且若完成工艺则排出腔室内气体的系统。另外，还需要用于在腔室内部形成并保持按照每个工艺适合水平的气压的控制方法。

进而，可能产生在向腔室供应气体或从腔室排出气体的过程中腔室和管道发生冲击而寿命下降的问题。因此，还需要用于最小化在向腔室供应气体或从腔室排出气体的过程中施加到腔室和管道的冲击的方法。

发明内容

因此，本发明的实施例提供用于迅速地向腔室供应气体并从腔室排出气体的压力调节装置以及具备其的基板处理装置。

另外，本发明的实施例提供用于在腔室内部形成并保持适合水平的气压的压力调节装置以及具备其的基板处理装置。

另外，本发明的实施例提供能够最小化在供应以及排出气体时施加到腔室和管道的冲击的压力调节装置以及具备其的基板处理装置。

本发明的解决课题不限于以上提及的，本领域技术人员可以从下面的记载明确地理解未提及的其它解决课题。

根据本发明的实施例的压力调节装置用于控制半导体制造设备的腔室内压力，所述压力调节装置包括：保管罐，保管要向所述腔室提供的气体；第一供应管线，从外部管线向所述保管罐供应所述气体；第二供应管线，从所述保管罐向所述腔室供应所述气体；排出管线，用于从所述腔室向排出口排出所述气体；以及控制部，对设置于所述第一供应管线、第二供应管线以及所述排出管线的阀进行控制。所述排出管线包括：第一开闭阀和第二开闭阀，彼此并联连接于所述腔室的排出端；以及第三开闭阀，与所述腔室的排出端连接。当从所述腔室排出气体时，所述控制部控制成开启所述第一开闭阀以及所述第二开闭阀，若开启所述第一开闭阀以及所述第二开闭阀后经过预定时间则开启所述第三开闭阀。

根据本发明的实施例，可以是，所述第一供应管线包括：第一流入口，供所述气体流入；第二流入口，以与所述第一流入口不同的管线形成而供所述气体流入；以及升压器，将通过所述第一流入口以及所述第二流入口流入的所述气体增加到预定压力以上并排出。

根据本发明的实施例，可以是，所述升压器在第一时间段期间使用通过所述第一流入口流入的所述气体的压力将通过所述第二流入口流入的所述气体以高压输出，并在第二时间段期间使用通过所述第二流入口流入的所述气体的压力将通过所述第二流入口流入的所述气体以高压输出。

根据本发明的实施例，可以是，所述保管罐设定成以比所述腔室的内部压力高的压力保管所述气体。

根据本发明的实施例，可以是，所述第二供应管线包括根据所述腔室的内部压力而调节开闭量的第一流量调节阀。

根据本发明的实施例，可以是，所述排出管线在所述腔室的排出端和所述第一开闭阀之间还包括根据所述内部压力而调节开闭量的第二流量调节阀。