[发明专利]静态随机存取存储器结构

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器结构，其特征在于，包括多个呈阵列分布的晶体管单元，同一行所述晶体管单元沿第一方向依次设置，所述晶体管单元包括沿所述第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道方向、第一共栅互补场效应晶体管沟道方向、第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向和第二传输管的沟道方向均平行于所述第一方向，所述晶体管单元的第二传输管与在所述第一方向上相邻的所述晶体管单元的第一传输管堆叠设置在一起形成共栅结构。

2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，所述第一共栅互补场效应晶体管包括堆叠设置的第一N型场效应晶体管和第一P型场效应晶体管，所述第二共栅互补场效应晶体管包括堆叠设置的第二N型场效应晶体管和第二P型场效应晶体管。

3.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，所述第一N型场效应晶体管的漏极和所述第一P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极的一侧，所述第一N型场效应晶体管的源极和所述第一P型场效应晶体管的源极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极的另一侧。

4.根据权利要求3所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，同一所述晶体管单元中，所述第一N型场效应晶体管的漏极和所述第一P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述第一传输管的一侧，所述第一N型场效应晶体管的源极和所述第一P型场效应晶体管的源极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述第二共栅互补场效应晶体管的一侧。

5.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，所述第二N型场效应晶体管的漏极和所述第二P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极的一侧，所述第二N型场效应晶体管的源极和所述第二P型场效应晶体管的源极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极的另一侧。

6.根据权利要求5所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，同一所述晶体管单元中，所述第二N型场效应晶体管的漏极和所述第二P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述第二传输管一侧，所述第二N型场效应晶体管的源极和所述第二P型场效应晶体管的源极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述第一共栅互补场效应晶体管的一侧。

7.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，同一所述晶体管单元中，所述第一P型场效应晶体管的源极与所述第二P型场效应晶体管的源极相对设置，所述第一N型场效应晶体管的源极与所述第二N型场效应晶体管的源极相对设置。

8.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，所述第一传输管、所述第二传输管、第一N型场效应晶体管、第二N型场效应晶体管、第一P型场效应晶体管和第二P型场效应晶体管的沟道的数量均大于或等于1。

9.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，所述第一传输管和所述第二传输管均为场效应晶体管。

10.根据权利要求9所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，所述第一传输管和所述第二传输管均为N型场效应晶体管或P型场效应晶体管。

11.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，还包括多个连接单元，所述晶体管单元与所述连接单元一一对应连接，所述连接单元用于实现所述晶体管单元内部连接和外部连接。