[发明专利]晶圆支撑座及工艺腔体

说明书

本发明揭露一种晶圆支撑座，包含：一支撑盘，具有一电极及位于所述支撑盘底部的一第一连接部；一轴，具有一顶端及位于所述顶端的一第二连接部，且所述第二连接部与所述第一连接部可拆卸地连接，使所述轴的顶端可拆卸地连接至所述支撑盘的底部；及一绝缘介质片，被夹持于所述支撑盘的第一连接部和所述轴的第二连接部之间，藉此构成所述电极回路中的一电容。此外，本发明还揭示了一种工艺腔体。

技术领域

本发明关于一种半导体装置，特别是一种晶圆支撑座与工艺腔体。

背景技术

在半导体制程中，等离子处理为沉积或蚀刻常用的手段。等离子处理相较一般热处理有更多的优势，例如，等离子增强化学气相沉积(PECVD)允许沉积可以在相对较低的温度中实现以及获得更高的沉积率。PECVD的当前挑战在于等离子体在腔体中的均匀性，以及沉积薄膜在晶圆中心和边缘厚度的均匀性。

已知有多种习知技术提出改善等离子体于腔内分部的手段。美国专利文献公开号US20200010957A1揭露一种从电极回路着手的改良手段，其包含将晶圆支撑盘中的下电极电连接至射频调整电路，藉此调整下电极回路的接地阻抗，其中所述射频调整电路包含传感器、可变电容及电感等电子组件。如此配置的缺点在于需要于腔体额外连接所述射频调整电路(通过可变电容改变阻抗)，且仅适合以陶瓷制造的晶圆支撑盘。由于射频调整电路外接的缘故，较长的电路回路相对累积一定的感性阻抗，影响射频传输。再者，如此配置可能因回路组件的些微差异而难以复制于不同的站或腔体，但同时又要求这些站和腔体执行相同工艺。

因此，有必要发展一种针对下电极的阻抗调节手段，特别是一种容易复制于多个腔体或站的下电极的阻抗调节手段，确保工艺一致性。

发明内容

本发明目的在于提供一种晶圆支撑座及工艺腔体以对回路阻抗进行调节。

本发明提供的晶圆支撑座包括：一支撑盘，具有一电极及位于所述支撑盘底部的一第一连接部；一轴，具有一顶端及位于所述顶端的一第二连接部，且所述第二连接部与所述第一连接部可拆卸地连接，使所述轴的顶端可拆卸地连接至所述支撑盘的底部；及一绝缘介质片，被夹持于所述支撑盘的第一连接部和所述轴的第二连接部之间，藉此构成所述电极回路中的一电容。

本发明提供的所述晶圆支撑座的有益效果在于：通过所述绝缘介质片，被夹持于所述支撑盘的第一连接部和所述轴的第二连接部之间，藉此构成所述电极回路中的一电容，以对回路阻抗进行调节。

进一步地，所述第一连接部具有一朝下接触面，所述第二连接部具有一朝上接触面，且当所述支撑盘与所述轴连接时，所述绝缘介质片被夹持于所述朝下接触面和所述朝上接触面之间。

进一步地，所述绝缘介质片以一第一方位或一第二方位被夹持于所述支撑盘的第一连接部和所述轴的第二连接部之间，其中所述第一方位使所述电容具有一第一电容值，所述第二方位使所述电容具有一第二电容值，所述第一电容值不同于所述第二电容值。

进一步地，所述第一方位的绝缘介质片与所述朝下接触面和所述朝上接触面的重迭面积，不同于，所述第二方位的绝缘介质片与所述朝下接触面和所述朝上接触面的重迭面积。

进一步地，所述绝缘介质片的形状为圆形。

进一步地，所述绝缘介质片的形状为椭圆形。其有益效果在于通过调整不同形状薄片，提高回路阻抗一致性，也容易保证站与站，腔与腔之间的回路阻抗和工艺的一致性。

进一步地，所述晶圆支撑座还包含与所述绝缘介质片推迭在一起的另一绝缘介质片，且堆栈的所述二绝缘介质片被夹持于所述第一连接部和所述第二连接部之间以构成一电容，所述二绝缘介质片的形状均为一放射状，所述二绝缘介质片以一第一方位迭加或以一第二方位迭加，其中以所述第一方位迭加的两个绝缘介质片的重迭面积不同于以所述第二方位迭加的两个绝缘介质片的重迭面积，藉此以所述第一方位迭加而成的电容值不同于以所述第二方位迭加而成的电容值。