[发明专利]晶圆支撑座及工艺腔体在审

专利信息
申请号: 202111528212.3 申请日: 2021-12-14
公开(公告)号: CN114203514A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 张赛谦 申请(专利权)人: 拓荆科技股份有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 黄海霞
地址: 110171 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 支撑 工艺
【权利要求书】:

1.一种晶圆支撑座,其特征在于,包括:

一支撑盘,具有一电极及位于所述支撑盘底部的一第一连接部;

一轴,具有一顶端及位于所述顶端的一第二连接部,且所述第二连接部与所述第一连接部可拆卸地连接,使所述轴的顶端可拆卸地连接至所述支撑盘的底部;及

一绝缘介质片,被夹持于所述支撑盘的第一连接部和所述轴的第二连接部之间,藉此构成所述电极回路中的一电容。

2.根据权利要求1所述晶圆支撑座,其特征在于,所述第一连接部具有一朝下接触面,所述第二连接部具有一朝上接触面,且当所述支撑盘与所述轴连接时,所述绝缘介质片被夹持于所述朝下接触面和所述朝上接触面之间。

3.根据权利要求1或2所述晶圆支撑座,其特征在于,所述绝缘介质片以一第一方位或一第二方位被夹持于所述支撑盘的第一连接部和所述轴的第二连接部之间,其中所述第一方位使所述电容具有一第一电容值,所述第二方位使所述电容具有一第二电容值,所述第一电容值不同于所述第二电容值。

4.根据权利要求3所述晶圆支撑座,其特征在于,所述第一方位的绝缘介质片与所述朝下接触面和所述朝上接触面的重迭面积,不同于,所述第二方位的绝缘介质片与所述朝下接触面和所述朝上接触面的重迭面积。

5.根据权利要求1所述晶圆支撑座,其特征在于,所述绝缘介质片的形状为圆形。

6.根据权利要求3所述晶圆支撑座,其特征在于,所述绝缘介质片的形状为椭圆形。

7.根据权利要求1所述晶圆支撑座,更包括与所述绝缘介质片推迭在一起的另一绝缘介质片,且堆栈的所述二绝缘介质片被夹持于所述第一连接部和所述第二连接部之间以构成一电容,所述二绝缘介质片的形状均为一放射状,所述二绝缘介质片以一第一方位彼此迭加或以一第二方位彼此迭加,其特征在于,以所述第一方位迭加的两个绝缘介质片的重迭面积不同于以所述第二方位迭加的两个绝缘介质片的重迭面积,藉此以所述第一方位迭加而成的电容值不同于以所述第二方位迭加而成的电容值。

8.根据权利要求1所述晶圆支撑座,其特征在于,所述第一连接部具有一第一对螺纹孔,所述第二连接部具有一第二对螺纹孔,所述绝缘介质片具有一第一对孔和一第二对孔,一对螺丝经由所述第一对螺纹孔、所述第二对螺纹孔及所述第一对孔或所述第二对孔将所述第一连接部和所述第二连接部锁固连接并使所述绝缘介质片夹持于所述第一连接部和所述第二连接部之间。

9.根据权利要求8所述晶圆支撑座,其特征在于,当所述对螺丝通过所述第一对孔时,代表所述绝缘介质片相较于所述第一连接部和所述第二连接部位于一第一方位;当所述对螺丝通过所述第二对孔时,代表所述绝缘介质片相较于所述第一连接部和所述第二连接部位于一第二方位,其中所述第一方位使所述电容具有一第一电容值,所述第二方位使所述电容具有一第二电容值,所述第一电容值不同于所述第二电容值。

10.根据权利要求1所述晶圆支撑座,其特征在于,所述电容具有一电容值,其介于1nF-3nF。

11.根据权利要求1所述晶圆支撑座,其特征在于,所述绝缘介质片的厚度为0.1mm-1.0mm。

12.根据权利要求1所述晶圆支撑座,其特征在于,所述绝缘介质片具有一横截面面积,其介于5000mm2-10000mm2。

13.根据权利要求1所述晶圆支撑座,其特征在于,所述绝缘介质片选自陶瓷及聚四氟乙烯之其中一者。

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