[发明专利]一种基于3D集成芯片的时序同步方法有效
申请号: | 202111515804.1 | 申请日: | 2021-12-13 |
公开(公告)号: | CN114125338B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 任思伟;黄芳;周亚军;王小东;刘戈扬;刘昌举;李明 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H04N25/71 | 分类号: | H04N25/71;H04N25/76 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 王海军 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 集成 芯片 时序 同步 方法 | ||
本发明涉及一种基于3D集成式芯片的时序同步方法,引入时序同步控制装置与3D集成芯片,3D集成芯片内部包括CCD芯片和CMOS芯片,包括:利用时序同步控制装置产生用于CCD芯片和CMOS芯片的时序触发脉冲;根据时序触发脉冲,启动CCD芯片和CMOS芯片的工作时序;利用时序测试口测量CCD芯片和CMOS芯片的时序同步情况,记录时序同步误差;根据时序同步误差,采用时序同步控制装置,微调CCD芯片时序触发脉冲和CMOS芯片时序触发脉冲的相对位置,进而实现CCD芯片和CMOS芯片的完全时序同步;本发明实现方式比较灵活,对工艺中的不确定因素不敏感,时序同步精度可调,具有较强适应性,解决了CCD工艺和CMOS工艺之间异质集成所带来的延迟不确定性和时序同步风险问题。
技术领域
本发明涉及一种基于3D集成式芯片的时序同步方法,尤其涉及一种CCD像素结构与CMOS电路融合的3D集成式图像传感器时序同步技术。
背景技术
图像传感器作为摄像机最为核心的部件,主要有CCD(Charge Couple Device,电荷耦合器件)与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)两种类型。其中,CCD图像传感器具有满阱容量大,动态范围高,宽光谱高量子效率的特点,常应用于高光谱成像以及军事目标探测和分析,但相机系统比较复杂,存在功耗高、体积大、成本较高等缺点。而CMOS图像传感器具有低成本、低功耗、高集成度以及更快读出速度的优势,常应用于高清监控等大数据量的场景中,但其在某些性能上又不如CCD图像传感器。因此,为了融合CCD与CMOS的优势,基于CCD结构与CMOS电路融合的3D集成式图像传感器受到了越来越多的研究。
3D集成图像传感器中涉及到多芯片集成,除了需要考虑集成工艺影响,还需要考虑各芯片在工艺制程、工作电压、信号延迟等方面所存在的差异,鉴于上述因素影响,3D集成图像传感器可能出现内部芯片间接口时序不同步,无法按照预期时序要求工作的问题。针对该问题,积极探索一种可消除时序延迟不确定性因素进而实现3D集成式图像传感器内部各子芯片间协同工作的时序同步方法,这就变得十分重要。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供了一种基于3D集成芯片的时序同步方法,引入时序同步控制装置与3D集成芯片,3D集成芯片内部包括CCD芯片和CMOS芯片,该方法包括:
利用时序同步控制装置分别产生用于CCD芯片的时序触发脉冲和用于CMOS芯片的时序触发脉冲;
根据用于CCD芯片的时序触发脉冲和用于CMOS芯片的时序触发脉冲,分别启动CCD芯片和CMOS芯片的工作时序;
工作时序启动后,测量CCD芯片和CMOS芯片的时序同步情况,记录时序同步误差;
根据时序同步误差,采用时序同步控制装置,微调CCD芯片时序触发脉冲和CMOS芯片时序触发脉冲的相对位置,进而实现CCD芯片和CMOS芯片的完全时序同步。
进一步的,3D集成芯片一帧数据读出的过程包括:
当CCD芯片接收到CCD时序触发脉冲后,发出CCD驱动时序信号,经过固定时序延时td1对当前帧信号进行积分;
积分完成后,产生CCD电荷包信号,将CCD电荷包信号从CCD芯片阵列的第一行向最后一行进行转移,转移完成后CCD芯片产生图像电流信号或者CCD复位电压信号和CCD图像电压信号;
将产生的CCD图像电流信号或CCD复位电压信号和CCD图像电压信号发送给CMOS芯片后,CCD芯片开始对下一帧信号进行积分;
当CCD时序触发脉冲经过可调节的时序延时td2后,时序同步控制装置产生CMOS时序触发脉冲;
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