[发明专利]显示面板有效
申请号: | 202111515667.1 | 申请日: | 2021-12-13 |
公开(公告)号: | CN114220821B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 杨国强 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/131 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 方艳丽 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括显示区和位于所述显示区一侧的弯折区,所述显示面板还包括:
第一透明衬底;
阻挡层,位于所述第一透明衬底的一侧,至少包括位于所述弯折区的第一阻挡部;
第一无机层,覆于所述第一透明衬底以及所述阻挡层上;
半导体层,设置于所述第一无机层远离所述第一透明衬底的一侧;以及
第二无机层,覆于所述半导体层及所述第一无机层上;
其中,所述第二无机层在所述弯折区形成有第一过孔,所述第一过孔贯穿所述第二无机层和所述第一无机层,且所述第一过孔的孔底在所述第一透明衬底上的正投影落在所述第一阻挡部在所述第一透明衬底上的正投影范围内;
所述阻挡层还包括位于所述显示区的多个间隔排布的第二阻挡部,所述第二阻挡部至少与所述半导体层部分重叠设置;所述显示面板还包括位于所述阻挡层和所述第一无机层之间的屏蔽层,所述屏蔽层包括:与所述第一阻挡部对应设置的第一屏蔽部和与所述第二阻挡部对应设置的第二屏蔽部。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一过孔的底面延伸至所述屏蔽层,并暴露所述第一屏蔽部。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二屏蔽部与所述半导体层至少部分重叠设置。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一屏蔽部与所述第一阻挡部重叠设置,所述第二屏蔽部与所述第二阻挡部重叠设置。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一屏蔽部远离所述第一阻挡部的一侧设置有第一凹槽。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二无机层包括依次层叠设置的栅极绝缘层、层间绝缘层,所述栅极绝缘层覆于所述半导体层及所述第一无机层上;所述显示面板还包括:
栅极层,设置于所述栅极绝缘层上,所述层间绝缘层覆于所述栅极层及所述栅极绝缘层上,且所述层间绝缘层图案化形成所述第一过孔,并在所述显示区形成第二过孔,所述第二过孔裸露出部分所述第二屏蔽部;
第一源漏极层,设置于所述层间绝缘层上,在所述显示区形成电源线,所述电源线通过所述第二过孔与所述第二屏蔽部连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括临近所述显示区设置的功能区,以及设置在所述显示区的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管靠近所述功能区设置,所述显示面板还包括:
导电电极层,设置于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管远离所述第一透明衬底的一侧,且在所述功能区形成有第一像素电极,在所述显示区形成有第二像素电极,所述第一像素电极与所述第一薄膜晶体管连接,所述第二像素电极与所述第二薄膜晶体管连接;
其中,所述半导体层在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的沟道区以及位于沟道区两侧的源区和漏区;所述栅极层在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极,并在所述弯折区形成有第一信号转接线,所述栅极与所述沟道区对应设置;所述第一源漏极层在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的第一源极和第一漏极,并在所述弯折区形成有第二信号转接线,其中所述第一源极与所述源区连接,所述第一漏极与所述漏区连接,所述第一信号转接线与所述第二信号转接线连接。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第一薄膜晶体管和所述导电电极层之间还设置有桥接层,所述桥接层在所述功能区形成第一桥接电极,并在所述显示区形成第二桥接电极,所述第一像素电极通过所述第一桥接电极与所述第一薄膜晶体管连接,所述第二像素电极通过所述第二桥接电极与所述第二薄膜晶体管连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第一平坦化层,覆于所述第一源漏极层及所述层间绝缘层上,并填充所述第一过孔;
第二源漏极层,设置于所述第一平坦化层上,在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的第二源极,并在所述弯折区形成有多个绑定走线;
第二平坦化层,覆于所述第二源漏极层及所述第一平坦化层上,所述桥接层设置所述第二平坦化层上;
第三平坦化层,覆于所述桥接层及所述第二平坦化层上,所述导电电极层设置于所述第三平坦化层上;
其中,所述第一桥接电极和所述第二桥接电极分别与对应的所述第二源极连接,所述绑定走线与所述第二信号转接线连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的