[发明专利]改变蚀刻参数的方法在审

专利信息
申请号: 202111513976.5 申请日: 2017-11-06
公开(公告)号: CN114137803A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: R·J·F·范哈恩;V·E·卡拉多;L·P·范戴克;R·沃克曼;E·C·摩斯;J·S·威尔登伯格;M·乔詹姆森;B·拉贾塞克兰;E·詹森;A·J·乌尔班奇克 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/3065;H01L21/66
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 胡良均
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 改变 蚀刻 参数 方法
【说明书】:

一种改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法,所述方法包括:在蚀刻之前进行与衬底上的结构相关的第一度量的第一测量;在蚀刻之后进行与衬底上的结构相关的第二度量的第二测量;以及基于所述第一测量与所述第二测量之间的差改变所述蚀刻参数。

本申请是PCT/EP2017/078288国际申请于2017年11月06日进入中国国家阶段、申请号201780074864.X、发明名称为“改变蚀刻参数的方法”的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年12月2日递交的欧洲申请16201848.5和2017年7月18日递交的欧洲申请17181816.4的优先权,通过引用将其全文并入本发明。

技术领域

本发明涉及一种用于光刻过程的方法,尤其涉及一种改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法。本发明还涉及用于实施该方法的部分的计算机程序产品。

背景技术

光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于所述IC的单层上的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一根或几根管芯)上。所述图案的转印典型地通过将图案成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层来进行。通常,单个衬底将包括被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括:所谓的步进机,在所述步进机中,通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分;和所谓的扫描器,在所述扫描器中,通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与所述方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。

所述光刻过程的关键性能参数是重叠误差。该误差(常常被简单地称为“重叠”)是相对于形成在之前的层中的特征将产品特征放置在正确位置中的误差。随着器件结构变得越来越小,重叠规格变得越来越严格。

将在衬底上的结构的显影的几个阶段中的一个或者更多个中引入重叠误差。例如,可能在所述光刻设备中的辐照期间通过光刻设备中的衬底未对准引入重叠误差。也可能在辐照之后的步骤中(例如在蚀刻步骤中)引入重叠误差。

量测工具可用于测量衬底上的重叠误差。如果在衬底上蚀刻和/或沉积其它层之前检测到重叠误差,则以无损伤方式测量重叠误差的量测工具(例如基于衍射测量的量测工具)允许返工所述衬底。

由现代蚀刻设备实施的蚀刻允许设定一个或者更多个蚀刻参数以控制蚀刻的多个方面。可以使用试错法来设定针对于给定情形的最佳的蚀刻参数。

发明内容

本发明旨在通过提供改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法从而减小蚀刻引入的重叠。

根据本发明的一个方面,提供一种改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法,所述方法包括:在蚀刻之前进行与衬底上的结构相关的第一度量的第一测量;在蚀刻之后进行与衬底上的结构相关的第二度量的第二测量;以及基于所述第一测量与所述第二测量之间的差改变所述蚀刻参数,其中所述第一度量和所述第二度量为表示下述中的一个或者更多个的度量:所述衬底上的两个或更多个层之间的重叠误差、所述衬底的一个层的特征的边缘相对于所述衬底的另一层的特征的边缘的放置误差、所述衬底上的一个或者更多个部位处测量的特征的属性中的不对称性。

根据本发明的一个方面,提供一种控制衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法,所述方法包括:提供表示蚀刻引入的效果的第一变量与所述蚀刻参数之间的关系;确定所述蚀刻参数的初始值;使用所述蚀刻参数的所述初始值对第一组衬底执行所述衬底蚀刻过程;以及确定关于所述第一组衬底中的衬底的实际的第一变量,且将用于后续衬底的所述衬底蚀刻过程的所述蚀刻参数改变由所述关系所预测的量,以导致所期望的衬底蚀刻过程。

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