[发明专利]蒸镀源及蒸镀设备在审
| 申请号： | 202111509843.0 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114182208A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 孙凌霄 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 汪阮磊 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蒸镀源 设备 | ||
1.一种蒸镀源，其特征在于，其具有一第一温度区一第二温度区；
所述蒸镀源包括：
热反射罩，环绕一容器设置，并位于所述第一温度区中；
加热装置，设于所述热反射罩的外侧。
2.如权利要求1所述的蒸镀源，其特征在于，所述热反射罩包括：
主体部，对应于所述第一温度区；
镂空部，与所述主体部相连，并对应于所述第二温度区；
所述镂空部的热反射面积小于所述主体部的热反射面积。
3.如权利要求2所述的蒸镀源，其特征在于，所述热反射罩上具有若干镂空结构，所述镂空结构均匀分布在所述镂空部，并贯穿所述热反射罩。
4.如权利要求1所述的蒸镀源，其特征在于，所述加热装置包括：
隔热罩，其具有一容腔，所述容器和所述热反射罩置于所述容腔内；
加热丝，设于所述容腔的侧壁上。
5.如权利要求4所述的蒸镀源，其特征在于，所述加热丝在所述第二温度区中的分布密度小于其在所述第一温度区中的分布密度。
6.如权利要求1所述的蒸镀源，其特征在于，所述容器具有一出料口，所述出料口设于所述容器的顶部。
7.如权利要求1所述的蒸镀源，其特征在于，所述第二温度区中所述容器内的温度小于所述第一温度区中所述容器内的温度。
8.如权利要求1所述的蒸镀源，其特征在于，所述热反射罩的材料中含有金属钨。
9.如权利要求4所述的蒸镀源，其特征在于，所述加热丝的材料中含有金属钼。
10.一种蒸镀设备，其特征在于，包括如权利要求1-9中任意一项所述的蒸镀源。
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