[发明专利]一种通孔刻蚀方法

权利要求书

1.一种通孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤，

步骤S1，提供一复合结构，所述复合结构至少包括一第一材质介质层，及覆盖于所述第一材质介质层上表面的第二材质介质层，所述第二材质介质层中包括一台阶结构，所述台阶结构包括复数级台阶，所述台阶结构包括，

一第一金属层，

一第二金属层，位于所述第一金属层上方，且所述第二金属层的投影覆盖部分所述第一金属层，

一介质层，填充于所述第一金属层及所述第二金属层之间，并覆盖所述第一金属层露出所述第二金属层的部分，以及所述第二金属层的上表面；

步骤S2，提供一掩膜覆盖所述复合结构，并于所述掩膜上打开对应待刻蚀的复数个通孔的窗口；

步骤S3，通过所述掩膜，刻蚀复数个所述通孔；

步骤S4，提供一刻蚀选择比，根据所述刻蚀选择比逐次刻蚀复数个所述通孔，并于每次刻蚀后调整所述刻蚀选择比，降低所述第一材质介质层和/或所述介质层的刻蚀量，以使复数个所述通孔的底部停留在不同的深度。

2.如权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述还包括一一互联层，所述第一材质介质层覆盖于所述互联层上表面。

3.如权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述台阶结构包括层间电容。

4.如权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述通孔包括，

第一类通孔，底部分别停止于所述台阶结构的每一级台阶上，

第二类通孔，底部停止于所述第一材质介质层中。

5.如权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S4中，每次刻蚀停止于，底部未到达目标位置的通孔中，预定刻蚀深度最浅的通孔的目标位置，上方一预定距离处。

6.如权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一材质介质层的材质包括氮化硅或掺氮碳化硅。

7.如权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述第二材质介质层的材质包括氧化硅。

8.如权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述介质层的材质包括氮化硅或掺氮碳化硅。

9.如权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述步骤2中，所述掩膜为光刻胶层。

10.如权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于，还包括一粘附层设置于所述掩膜与所述复合结构上表面之间以提高所述掩膜的附着力。