[发明专利]除电方法和等离子体处理系统在审
申请号: | 202111500119.1 | 申请日: | 2021-12-09 |
公开(公告)号: | CN114664625A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 宇津木康史;冨山和哉;前田高志;北野拓磨 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 方法 等离子体 处理 系统 | ||
本发明提供一种除电方法和等离子体处理系统。本发明的一个方式的除电方法,其在用处理等离子体对吸附在静电吸盘上的基片进行处理之后,对静电吸盘和基片进行除电,其包括:步骤a,在所述处理之后,生成除电等离子体;步骤b,在步骤a之后,使施加到吸附电极的吸附电压停止;步骤c,在步骤b之后,将吸附电极与经由电阻部而接地的接地线路连接,其中,电阻部能够将电阻值至少设定为第1电阻值和比该第1电阻值小的第2电阻值中的任一者;步骤d,在步骤c之前,选择电阻部的电阻值;和步骤e,在步骤d与步骤c之间,将电阻部的电阻值设定为步骤d中所选择的电阻值。根据本发明,能够抑制异常放电的产生且调节电压下降时间。
技术领域
本发明涉及除电方法和等离子体处理系统。
背景技术
已知有在使吸附于静电吸盘上的基片脱离时,将吸附电极接地并且产生除电等离子体的技术(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-14868号公报。
发明内容
发明要解决的问题
本发明提供一种能够抑制异常放电的产生且调节电压下降时间的技术。
用于解决问题的技术手段
本发明的一个方式的除电方法,其在用处理等离子体来对被吸附在静电吸盘上的基片进行处理之后,对所述静电吸盘和所述基片进行除电,其中,所述基片是通过对内置于所述静电吸盘中的吸附电极施加吸附电压而被吸附在静电吸盘上的,所述除电方法的特征在于,包括:步骤a,在所述处理之后,生成除电等离子体;步骤b,在所述步骤a之后,使施加到所述吸附电极的所述吸附电压停止;步骤c,在所述步骤b之后,将所述吸附电极与经由电阻部而接地的接地线路连接,其中,所述电阻部能够将电阻值至少设定为第1电阻值和比该第1电阻值小的第2电阻值中的任一者;步骤d,在所述步骤c之前,选择所述电阻部的电阻值;和步骤e,在所述步骤d与所述步骤c之间,将所述电阻部的电阻值设定为所述步骤d中所选择的所述电阻值。
发明效果
根据本发明,能够抑制异常放电的产生且调节电压下降时间。
附图说明
图1是表示实施方式的等离子体处理系统的一例的概略图。
图2是表示实施方式的除电方法的一例的图。
图3是表示实施方式的除电方法的另一例的图。
图4是用于说明模拟条件的图。
图5是表示放电电阻与电压下降时间的关系的模拟结果的图。
图6是表示实施例中的吸附电极的电压随时间的变化的图。
图7是表示比较例中的吸附电极的电压随时间的变化的图。
图8是表示实施方式的等离子体处理系统的另一例的概略图。
附图标记说明
31 电介质层
32 吸附电极
123、123M 电阻部
G 玻璃基片
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的非限定的例示的实施方式进行说明。在全部附图中,对相同或对应的部件或零件,标注相同或者对应的附图标记,并省略重复的说明。
[等离子体处理系统]
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