[发明专利]除电方法和等离子体处理系统在审

专利信息
申请号: 202111500119.1 申请日: 2021-12-09
公开(公告)号: CN114664625A 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 宇津木康史;冨山和哉;前田高志;北野拓磨 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;徐飞跃
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 方法 等离子体 处理 系统
【权利要求书】:

1.一种除电方法,其在用处理等离子体来对被吸附在静电吸盘上的基片进行处理之后,对所述静电吸盘和所述基片进行除电,其中,所述基片是通过对内置于所述静电吸盘中的吸附电极施加吸附电压而被吸附在静电吸盘上的,所述除电方法的特征在于,包括:

步骤a,在所述处理之后,生成除电等离子体;

步骤b,在所述步骤a之后,使施加到所述吸附电极的所述吸附电压停止;

步骤c,在所述步骤b之后,将所述吸附电极与经由电阻部而接地的接地线路连接,其中,所述电阻部能够将电阻值至少设定为第1电阻值和比该第1电阻值小的第2电阻值中的任一者;

步骤d,在所述步骤c之前,选择所述电阻部的电阻值;和

步骤e,在所述步骤d与所述步骤c之间,将所述电阻部的电阻值设定为所述步骤d中所选择的所述电阻值。

2.如权利要求1所述的除电方法,其特征在于:

在所述步骤d中,在要使所述吸附电极的电压下降时间相对变短的情况下,选择所述第2电阻值。

3.如权利要求1或2所述的除电方法,其特征在于:

在所述步骤d中,基于使所述电阻部的电阻值与所述吸附电极的电压下降时间相关联而得的关联信息,选择所述电阻部的电阻值。

4.一种等离子体处理系统,其特征在于,包括:

用处理等离子体来对基片实施处理的处理容器;

生成所述处理等离子体的等离子体生成部;

载置台,其设置在所述处理容器内,包含用于吸附所述基片的静电吸盘;

内置于所述静电吸盘中的吸附电极;

直流电源,其与所述吸附电极连接,施加用于吸附所述基片的吸附电压;和

接地线路,其与所述直流电源并联地连接于所述吸附电极,且经由电阻部接地,

所述电阻部能够将电阻值至少设定为第1电阻值和比该第1电阻值小的第2电阻值中的任一者。

5.如权利要求4所述的等离子体处理系统,其特征在于:

所述电阻部包含具有所述第1电阻值的第1电阻器和具有所述第2电阻值的第2电阻器,

所述第1电阻器和所述第2电阻器是并联地设置的,且可切换。

6.如权利要求4或5所述的等离子体处理系统,其特征在于:

所述电阻部包含可变电阻器。

7.如权利要求4至6中任一项所述的等离子体处理系统,其特征在于:

所述等离子体生成部能够生成除电等离子体。

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