[发明专利]一种真空闪蒸系统及真空闪蒸方法

说明书

本申请提供一种真空闪蒸系统及真空闪蒸方法，包括：工艺腔室和至少一个预抽腔室，工艺腔室用于放置待闪蒸基片，工艺腔室和预抽腔室相互连接，工艺腔室和预抽腔室的连接口处具有真空阀门，预抽腔室的气压值低于工艺腔室的气压值，预抽腔室的体积大于工艺腔室的体积，当真空阀门处于打开状态时，工艺腔室和预抽腔室连通，由于预抽腔室的体积大于工艺腔室且预抽腔室的气压小于工艺腔室，工艺腔室的气压值迅速降低，相较于将待闪蒸基片先放入工艺腔室，再抽真空去除溶剂的长耗时而言，利用已经预先抽好真空的预抽腔室，能够缩短工艺腔室中气压值的降低时间，以缩短去除膜层中残留溶剂的时间，提升残留溶剂去除效果，降低半导体器件制造成本。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种真空闪蒸系统及真空闪蒸方法。

背景技术

随着技术的发展，当前的半导体器件通常为层叠结构，例如自发光显示器、顶部入射的光电探测器、图像传感器和太阳能电池都是层叠结构。在制造层叠结构的半导体器件时，通常会采用溶液法制造。溶液法制造形成的半导体器件中的膜层可能会残留有溶剂，需要将半导体器件放入真空的工艺腔室去除残留的溶剂。

现有的去除溶剂的方法称为真空闪蒸工艺，是将半导体器件放入工艺腔室，之后对工艺腔室进行抽真空处理，以去除残留的溶剂。

但是这种真空闪蒸工艺去除残留的溶剂耗时较长，导致去除残留的溶剂效果较差，还进一步导致半导体器件的制造成本上升。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种真空闪蒸系统及真空闪蒸方法，能够缩短去除半导体器件的膜层中残留溶剂的时间，提升去除半导体器件的膜层中残留溶剂的效果，降低半导体器件的制造成本。

本申请实施例提供了一种真空闪蒸系统，包括：工艺腔室和至少一个预抽腔室；

所述工艺腔室和所述预抽腔室相互连接，所述工艺腔室和所述预抽腔室的连接口处具有真空阀门，所述预抽腔室的气压值低于所述工艺腔室的气压值，所述预抽腔室的体积大于所述工艺腔室的体积；

所述工艺腔室用于放置待闪蒸基片；

所述预抽腔室用于当所述真空阀门处于打开状态时，降低所述工艺腔室的气压值，所述工艺腔室降低到的气压值根据所述预抽腔室的气压值、所述预抽腔室的体积和所述工艺腔室的体积确定。

可选地，所述预抽腔室的体积是所述工艺腔室的体积的N倍，则当预抽腔室的气压值低于第一气压阈值，所述真空阀门处于打开状态时，所述工艺腔室的气压值降低K倍，N和K之间的差值小于预定阈值，N为正数，K为正数。

可选地，所述预抽腔室的数量为M个，第i个预抽腔室的体积是所述工艺腔室体积的N_i倍，每个预抽腔室都与所述工艺腔室相互连接，所述M个预抽腔室的气压值都低于第二气压阈值，M为大于1的正整数，其中，M≥i≥2；

所述预抽腔室具体用于：

当同时打开所述M个预抽腔室与所述工艺腔室的真空阀门预设时间后，关闭所述M个预抽腔室与所述工艺腔室的真空阀门，以便所述工艺腔室的气压值接近降低倍。

可选地，所述预抽腔室的数量为M个，第i个预抽腔室的体积是所述工艺腔室体积的N_i倍，每个预抽腔室都与所述工艺腔室相互连接，第i个预抽腔室的气压值比第i-1个预抽腔室的气压值降低N_i倍，所述第1个预抽腔室的气压值比所述工艺腔室的气压值降低0.1/N₁倍，M为大于1的正整数，其中，M≥i≥2；

所述预抽腔室具体用于：

当打开第j个预抽腔室与所述工艺腔室的真空阀门预设时间后，关闭所述第j个预抽腔室与所述工艺腔室的真空阀门，按照所述M个预抽腔室的气压值降低的顺序，继续打开第j+1个预抽腔室与所述工艺腔室的真空阀门预设时间后，关闭所述第j+1个预抽腔室与所述工艺腔室的真空阀门，以便利用所述M个预抽腔室逐渐降低所述工艺腔室的气压值，其中，M-1≥j≥1。