[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202111488539.2 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN114141794A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 孙远;王超;刘广辉;刘立旺 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊恒定 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
有源层,所述有源层包括辅助晶体管的源极连接区和所述辅助晶体管的漏极连接区;
栅极层,所述栅极层包括控制走线/电位传输线中的一个、所述辅助晶体管的栅极、第一扫描线以及第二扫描线,所述第一扫描线、所述第二扫描线沿第一方向依次排列,所述控制走线的一端与所述第一扫描线电性连接,所述第二扫描线与所述辅助晶体管的栅极电性连接;以及
金属层,所述金属层包括所述控制走线/电位传输线中的另一个、所述辅助晶体管的源极以及所述辅助晶体管的漏极,所述辅助晶体管的源极与所述辅助晶体管的源极连接区、所述控制走线的另一端电性连接,所述辅助晶体管的漏极与所述电位传输线、所述辅助晶体管的漏极连接区电性连接;
其中,在所述显示面板的厚度方向上,所述电位传输线与所述控制走线至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述金属层还包括第一数据线和第二数据线,所述第一数据线、所述第二数据线沿第二方向依次排列;在所述第二方向上,所述电位传输线位于所述第一数据线与所述第二数据线之间,且靠近所述第二数据线。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述有源层还包括所述辅助晶体管的沟道区,所述辅助晶体管的沟道区位于所述辅助晶体管的源极连接区和所述辅助晶体管的漏极连接区之间,且所述辅助晶体管的源极连接区、所述辅助晶体管的沟道区以及所述辅助晶体管的漏极连接区依次沿所述第一方向排列。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述电位传输线包括第一主干部,所述控制走线包括第二主干部,所述第二主干部与所述金属层上的投影与所述第一主干部重叠;且所述第二数据线的延伸方向与所述第一主干部的延伸方向或者所述第二主干部的延伸方向相同。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,在所述第二方向上,所述第一主干部至所述第二数据线之间的距离为1.2微米至2.8微米。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述电位传输线还包括第一绕线部,所述控制走线还包括第二绕线部,所述第二绕线部于所述金属层上的投影与所述第一绕线部重叠;且所述辅助晶体管的漏极连接区于所述金属层上的投影至所述第一绕线部的距离小于所述辅助晶体管的漏极连接区于所述金属层上的投影至所述第一主干部的距离。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二扫描线包括第三主干部和第三绕线部,所述第三绕线部包括依次首尾相接的第一直线部、第二直线部以及第三直线部,所述第二直线部的延伸方向与所述第三主干部的延伸方向相互平行,所述第三主干部、所述第一直线部或者所述第三直线部、所述第二直线部沿所述第一方向依次排列且在所述第一方向上的投影互不重叠;
所述第二直线部与所述有源层上的投影与所述辅助晶体管的源极连接区在所述第一方向上的距离小于第一距离,所述第一距离为所述第三主干部在所述第一方向上的宽度与第二距离之和,所述第二距离为所述第二直线部与所述第三主干部在所述第一方向上的距离。
8.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述有源层还包括写入晶体管的半导体结构,在所述显示面板的厚度方向上,所述第一数据线于所述有源层上的投影与所述半导体结构的一部分重叠且电性连接;所述半导体结构的另一部分在所述金属层上的投影位于所述第一数据线与所述第二数据线之间;其中,所述写入晶体管用于控制数据信号写入至对应的像素中。
9.根据权利要求1至8任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括栅极驱动电路,所述栅极驱动电路设置于所述显示面板的至少一侧;与所述栅极驱动电路的距离越大,所述辅助晶体管的分布密度相同或者逐渐增大;其中,所述分布密度为单位面积内所述辅助晶体管的数量。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的显示面板;其中,所述第一扫描线用于传输第一扫描信号,所述第二扫描线用于传输第二扫描信号;同一帧中,所述第一扫描信号的脉冲早于所述第二扫描信号的脉冲。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的