[发明专利]一种实现非辐射局域场的金属纳米结构及其制备方法

权利要求书

1.一种实现非辐射局域场的金属纳米结构制备方法，其特征在于包含以下步骤：

1)利用电子束曝光和反应离子蚀刻在硅衬底上制备以七个相互之间尺寸为120纳米的纳米手指为结构单元的纳米压印模版，单个手指的高度为650纳米，直径为70纳米；七个纳米手指为一个单元，相邻单元之间的间隙为500纳米；然后，使用这个纳米压印模版，使用带有双层旋涂抗蚀剂的紫外纳米压印固化胶，并使用定制设计的纳米压印机执行；使用聚合物反色调模具将硅纳米柱复制到最终的聚合物固化胶纳米手指中；通过上述纳米压印的方法获得以七个纳米手指为结构单元的纳米手指阵列结构，柱体材料为柔性聚合物，柔性纳米手指的高度和直径和模版一致，分别为650纳米和70纳米，每个结构单元中纳米手指之间的间隙为120纳米；

2)在通过步骤1获得的纳米手指阵列结构上沉积金属，获得金属纳米有序手指阵列结构，厚度为50纳米；

3)在通过步骤2得到的金属纳米有序手指阵列结构上沉积1纳米的四面体碳膜；

4)在通过步骤3得到的四面体碳膜包覆的金属纳米手指阵列结构上滴入高纯乙醇溶液后，在自然条件下挥发，微表面张力使得每个结构单元中七个纳米手指相互靠在一起，形成七聚体结构，其中周围六个纳米手指包围中间一个纳米手指，相互之间的间隙为两倍的四面体碳膜厚度为2纳米。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1)中衬底为硅片、石英或玻璃衬底。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤2)中所述的金属为银、金或铝。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤3)中所述的介电薄膜为SiO₂、Al₂O₃或TiO₂。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤4)中所述的七聚体中纳米手指之间的介电间隙为所沉积介质薄膜的厚度的两倍。

6.如权利要求1-5任一项所述的方法制得的金属纳米结构。