[发明专利]高可靠性滤波器的封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种高可靠性滤波器的封装结构，它包括滤波器芯片（1）、管脚（2）、互联柱（3）、密封圈（4）、键合膜（5）、钝化层（6）、第一再布线层（7）、密闭腔（8）、绝缘层（9）、第二再布线层（10）与互联凸点（11）；

其特征是：在滤波器芯片（1）的工作区外侧设有管脚（2），在管脚（2）上设有互联柱（3），在互联柱（3）外侧的滤波器芯片（1）的上表面设有密封圈（4），在密封圈（4）的上端面以及互联柱（3）的部分上端面设有键合膜（5），键合膜（5）与密封圈（4）以及滤波器芯片（1）配合形成密闭腔（8），在对应互联柱（3）位置的键合膜（5）上开设有键合膜孔，在键合膜（5）的上表面以及键合膜孔的内壁设有钝化层（6），在对应滤波器芯片（1）的工作区位置的在钝化层（6）的上表面设有绝缘层（9），在绝缘层（9）外侧的钝化层（6）的上表面以及互联柱（3）的部分上端面设有第一再布线层（7），在第一再布线层（7）的上表面设有呈柱状的第二再布线层（10），在第二再布线层（10）外侧的第一再布线层（7）的上表面设有绝缘层（9），在第二再布线层（10）的上端面设有互联凸点（11）。

2.如权利要求1所述的高可靠性滤波器的封装结构，其特征是：所述互联柱（3）偏移第二再布线层（10）。

3.如权利要求1所述的高可靠性滤波器的封装结构，其特征是：所述互联柱（3）与密封圈（4）的高度为1~50μm。

4.如权利要求1所述的高可靠性滤波器的封装结构，其特征是：所述键合膜（5）的厚度为1~60μm，且键合膜孔的孔径为0.5~80μm。

5.如权利要求1所述的高可靠性滤波器的封装结构，其特征是：所述钝化层（6）的厚度为1~30μm，且钝化层（6）的材质为树脂或者聚酰亚胺材料。

6.如权利要求1所述的高可靠性滤波器的封装结构，其特征是：所述第一再布线层（7）的材质为Cu、Ti、TiW、V、Ni、W、Sn、Ag、Au中的一种或几种。

7.如权利要求1所述的高可靠性滤波器的封装结构，其特征是：所述绝缘层（9）的厚度为1~80μm，且绝缘层（9）的材质为无机材料、高分子材料或者有机与无机复合材料。

8.如权利要求1所述的高可靠性滤波器的封装结构，其特征是：所述第二再布线层（10）的材质为Cu、Ti、TiW、V、Ni、W、Sn、Ag、Au中的一种或几种。

9.权利要求1所述的高可靠性滤波器的封装方法，其特征是该封装方法包括以下步骤：

S1、取滤波器芯片（1），在滤波器芯片（1）的工作区外侧的管脚（2）上制作出互联柱（3），在管脚（2）外侧的滤波器芯片（1）的上表面制作出密封圈（4），密封圈（4）将互联柱（3）包围；

S2、在互联柱（3）与密封圈（4）上整体贴合键合膜（5），键合膜（5）与密封圈（4）以及滤波器芯片（1）配合形成密闭腔（8）；

S3、在键合膜（5）上打出键合膜孔，使互联柱（3）的部分上端面露出；

S4、在键合膜（5）的上表面、已经露出的互联柱（3）的上端面以及键合膜孔的内壁制备一层钝化层（6）；

S5、在键合膜孔内以及键合膜孔外侧的部分钝化层（6）上制备第一再布线层（7），第一再布线层（7）与管脚（2）电性连接，对应滤波器芯片（1）的工作区上方的钝化层（6）不制备第一再布线层（7）；

S6、通过激光开槽方式使相邻滤波器芯片（1）之间的切割道打开，使滤波器芯片（1）的部分上表面露出；

S7、在第一再布线层（7）的部分上表面、未被第一再布线层（7）所覆盖的钝化层（6）的上表面以及滤波器芯片（1）的部分上表面上制备一层绝缘层（9）；

S8、在未被绝缘层（9）所覆盖的第一再布线层（7）的上表面制备第二再布线层（10），再在第二再布线层（10）的上表面上制作互联凸点（11），使第二再布线层（10）与外部实现电性连接；

S9、沿着切割道进行切割，得到单颗封装芯片，完成最终封装。