[发明专利]一种一体化MEMS氢气传感器制备方法在审
| 申请号： | 202111485555.6 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114152652A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 胡庆敏;徐甲强;张景韬;王晨 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 上海海贝律师事务所 31301 | 代理人： | 范海燕 |
| 地址： | 200436*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 一体化 mems 氢气 传感器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种一体化MEMS氢气传感器制备方法，其特征在于包括以下步骤：
S1：对MEMS进行清洁和干燥；
S2：将MEMS转移至ALD反应器中；
S3：以四(二甲氨基)锡(IV)和水为前驱体沉积SnO2薄膜；
S4：通过控制ALD SnO2在MEMS上沉积的循环次数，获得不同厚度SnO2薄膜；
S5：在MEMS沉积的ALD-SnO2上继续沉积NiO；
S6：以二茂镍(NiCp2)和O3为前体，沉积温度控制在270℃；
S7：对所述NiCp2的脉冲、暴露和吹扫时间分别为0.03～100、0.03～300和5～1200秒，对所述O3的脉冲、暴露和吹扫时间分别为0.03～100、0.03～300和0.03～1200秒；
S8：改变MEMS上沉积ALD NiO的循环次数获得不同比例NiO-SnO2界面位点的敏感材料。
S9：原位老化12小时，制得MEMS氢气传感器。
2.根据权利要求1所述的一种一体化MEMS氢气传感器制备方法，其特征在于：所述S3中前驱体的温度为10～120℃。
3.根据权利要求1所述的一种一体化MEMS氢气传感器制备方法，其特征在于：所述ALD为原子层沉积合成制备技术。
4.根据权利要求1所述的一种一体化MEMS氢气传感器制备方法，其特征在于：所述MEMS为半导体硅、锗、砷化镓、金属铌、以及石英晶体的其中一种。
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