[发明专利]容值变换电路、电子设备、音响系统及相关系统在审

专利信息
申请号: 202111481290.2 申请日: 2021-12-06
公开(公告)号: CN114244335A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 薛张涛 申请(专利权)人: 北京罗克维尔斯科技有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;H03K17/00
代理公司: 北京太合九思知识产权代理有限公司 11610 代理人: 刘戈;曹威
地址: 101300 北京市顺义区高丽营*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 变换 电路 电子设备 音响系统 相关 系统
【权利要求书】:

1.一种容值变换电路,其特征在于,包括:依次连接的输入端,开关模块,电容模块及输出端,以及与所述开关模块连接的控制模块;

所述电容模块包括多个电容,以及与所述多个电容分别对应的多个电阻,所述开关模块包括多个开关电路,所述多个电容中,任一电容的第一端与所述对应的电阻的第一端连接,且所述任一电容的第一端与所述对应的电阻的第一端连接所述输出端,所述任一电容的第二端及所述对应的电阻的第二端与一个所述开关电路连接,所述开关电路连接所述输入端;

所述控制模块通过控制所述多个开关电路的连接方式,控制所述电容模块接入所述输入端及所述输出端的电容。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述多个电容中,每个电容分别对应一个开关电路,所述电容的第二端连接对应的开关电路的第一触点,所述电容对应的电阻的第二端连接对应的开关电路的第二触点,所述对应的开关电路的第三触点连接所述输入端;

所述控制模块通过控制所述开关电路的第一触点分别与各自的第二或第三触点的关断,控制所述电容是否接入所述输入端及所述输出端。

3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述开关电路包括第一N沟道MOS管及第二N沟道MOS管;

所述第一N沟道MOS管的漏极连接所述第一触点,源极连接所述第二触点,栅极连接所述控制模块,用于接收所述控制模块发送的第一控制信号;

所述第二N沟道MOS管的漏极连接所述第一触点,源极连接所述第三触点,栅极连接所述控制模块,用于接收所述控制模块发送的第二控制信号;或者,

所述开关电路包括第一P沟道MOS管及第二P沟道MOS管;

所述第一P沟道MOS管的漏极连接所述第一触点,源极连接所述第二触点,栅极连接所述控制模块,用于接收所述控制模块发送的第一控制信号;

所述第二P沟道MOS管的漏极连接所述第一触点,源极连接所述第三触点,栅极连接所述控制模块,用于接收所述控制模块发送的第二控制信号;

所述控制模块通过所述第一控制信号及第二控制信号,控制所述开关电路的第一触点分别与各自的第二或第三触点的关断。

4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述开关电路还包括第一非门及第二非门;

所述第一N沟道MOS管的栅极具体通过所述第一非门连接所述控制模块;

所述第二N沟道MOS管的栅极具体通过所述第二非门连接所述控制模块;或者,

所述第一P沟道MOS管的栅极具体通过所述第一非门连接所述控制模块;

所述第二P沟道MOS管的栅极具体通过所述第二非门连接所述控制模块。

5.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述开关电路还包括第三非门;

所述第一N沟道MOS管的漏极连接所述第一触点,源极连接所述第二触点,栅极连接所述控制模块,用于接收所述控制模块发送的第三控制信号;

所述第二N沟道MOS管的漏极连接所述第一触点,源极连接所述第三触点,栅极通过所述第三非门连接所述控制模块,用于接收所述控制模块发送的第三控制信号;或者,

所述第一P沟道MOS管的漏极连接所述第一触点,源极连接所述第二触点,栅极连接所述控制模块,用于接收所述控制模块发送的第三控制信号;

所述第二P沟道MOS管的漏极连接所述第一触点,源极连接所述第三触点,栅极通过所述第三非门连接所述控制模块,用于接收所述控制模块发送的第三控制信号;

所述控制模块通过所述第三控制信号,控制所述开关电路的第一触点分别与各自的第二或第三触点的关断。

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