[发明专利]一种显示面板及显示装置在审
| 申请号: | 202111480824.X | 申请日: | 2019-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN114203781A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
| 发明(设计)人: | 顾家昌;彭涛 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 郭玉兵 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括显示区,所述显示区内设置有多个子像素和多个驱动电路,多个所述子像素排列为多个子像素行,所述子像素行的延伸方向为第一方向;所述显示区包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区内的所述驱动电路的密度小于所述第二显示区内的所述驱动电路的密度;所述第一显示区包括多个岛状的第一子显示区以及至少部分围绕所述第一子显示区设置的第一子非显示区,所述第一显示区内的多个所述子像素300位于所述第一子显示区;
所述显示面板还包括多条信号线,所述信号线沿所述第一方向延伸;多条所述信号线包括多条第一信号线;在所述第一子显示区内,每相邻n行所述驱动电路电连接同一所述第一信号线,n为大于1的正整数;
用于电连接所述驱动电路与对应所述第一信号线的多条第一连接导线位于所述第一子显示区。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括多条数据线,所述数据线沿第二方向延伸,所述第二方向垂直于所述第一方向;
沿所述第二方向排列的多个所述驱动电路电连接一条所述数据线;
穿过同一第一子显示区的多条数据线中,任意相邻两条所述数据线之间的间隙为第一间隙,所述第一间隙在所述第一子非显示区的最小距离为D1,所述第一间隙在所述第一子显示区的最小距离为D2,D1小于D2。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路包括薄膜晶体管和存储电容,其中,所述薄膜晶体管的栅极位于第一金属层,所述存储电容包括位于第二金属层的电极;
沿所述第一方向,各所述数据线位于所述第一子非显示区的部分交替分布于所述第一金属层和所述第二金属层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路包括薄膜晶体管和存储电容,其中所述薄膜晶体管的源极和漏极位于第三金属层;
多条所述数据线位于所述第一子显示区内的部分位于所述第三金属层。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括多条电源线,所述电源线沿第二方向(列方向)延伸,所述第二方向垂直于所述第一方向;
沿所述第二方向排列的多个所述第一子显示区内的所有所述驱动电路连接同一所述电源线,所述驱动电路与所述电源线的电连接线位于所述第一子显示区。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,位于所述第一子显示区的所述驱动电路与所述电源线的电连接线包括第一部分电连接线,所述第一部分电连接线沿所述第一方向延伸;
沿所述第一方向相邻的至少两个所述第一子显示区中的所述第一部分电连接线之间存在间隙。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路包括薄膜晶体管和存储电容,其中所述薄膜晶体管的源极和漏极位于第三金属层;
所述电源线所述第一子显示区内的部分位于所述第三金属层。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多条信号线还包括第二信号线,在所述第一子显示区内,相邻n行所述驱动电路电连接同一所述第二信号线,n为大于1的正整数;
电连接同一所述第一信号线的多个所述驱动电路电连接同一所述第二信号线,且所述第一信号线和所述第二信号线不同;用于电连接所述驱动电路与对应所述第二信号线的多条第二连接导线位于所述第一子显示区。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述多条信号线还包括第三信号线,在所述第一子显示区内,相邻n行所述驱动电路电连接同一所述第三信号线,n为大于1的正整数,且所述第一信号线、所述第二信号线和所述第三信号线不同。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号线、所述第二信号线和所述第三信号线分别为扫描线、发光驱动信号线和复位信号线中的任一种,且各不相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





