[发明专利]低功耗快速瞬态响应的低压差线性稳压器电路有效

专利信息
申请号: 202111475165.0 申请日: 2021-12-06
公开(公告)号: CN114167933B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 李天望 申请(专利权)人: 上海瓴瑞微电子有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海十蕙一兰知识产权代理有限公司 31331 代理人: 于露萍
地址: 201306 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 功耗 快速 瞬态 响应 低压 线性 稳压器 电路
【权利要求书】:

1.一种低功耗快速瞬态响应的低压差线性稳压器电路,包括:

一误差放大器;

一串联调整功率管,栅极连接所述误差放大器的输出端;

一电阻反馈网络,具有串联的第一电阻和第二电阻,所述第一电阻和所述第二电阻的公共端作为反馈端,所述第二电阻的另一端接地;

其特征在于,所述误差放大器的同向输入端连接基准电压,所述误差放大器的反向输入端连接所述反馈端;

所述串联调整功率管的漏极连接电源输入端,所述串联调整功率管的源极连接电路输出端,所述电路输出端还连接所述第一电阻的另一端;

还包括:

一偏置电路,输出端分别连接所述误差放大器和所述电路输出端;

所述偏置电路包括:

一偏置电流源,一端连接所述电源输入端;

一第三NMOS管,漏极连接所述偏置电流源的另一端,源极接地,栅极连接漏极;

一第四NMOS管,栅极连接所述第三NMOS管的栅极,源极接地;

一第五PMOS管,漏极连接所述第四NMOS管的漏极,源极连接所述电源输入端,栅极连接漏极且作为所述偏置电路的输出端;

还包括:

一模式切换电路,具有第一切换电路,所述第一切换电路的输出端连接所述偏置电路的控制端,所述第一切换电路控制所述偏置电路的工作状态;

所述第一切换电路包括:

两个控制信号,分别为第一控制信号和第二控制信号,两个所述控制信号互为反向信号;

一第五NMOS管,栅极连接所述第二控制信号,源极连接所述第三NMOS管的栅极;

一第六NMOS管,栅极连接所述第五NMOS管的漏极,漏极连接所述第四NMOS管和第五PMOS管的公共端,源极接地;

一第七NMOS管,栅极连接所述第一控制信号,漏极分别连接所述第五NMOS管的漏极、所述第六NMOS管的栅极,源极接地;

当负载电路为正常工作状态下的工作模式,令所述第一控制信号为低电平,则所述第二控制信号为高电平,此时所述第五NMOS管导通,所述第六NMOS管栅极被偏置在预设电压,所述第五PMOS管流过偏置电流,给后续各路电流镜提供偏置电流;

当负载电路为待机状态下的待机模式,令所述第一控制信号为高电平,则所述第二控制信号为低电平,此时所述第五NMOS管断开,所述第七NMOS管导通将所述第六NMOS管的栅极下拉至地,所述第六NMOS管关闭从而减少流过所述第五PMOS管的电流,所述偏置电路的输出端电流减小;

所述模式切换电路具有第二切换电路,所述第二切换电路包括:

两个控制信号,共用所述第一切换电路的两个控制信号;

一第六PMOS管,漏极连接所述误差放大器的差分对的公共端,源极连接所述电源输入端;

一第七PMOS管,栅极连接所述第一控制信号,源极连接所述偏置电路的输出端;

一第八PMOS管,作为开关管,栅极连接所述第二控制信号,漏极分别连接所述第六PMOS管的栅极、所述第七PMOS管的漏极,源极连接所述电源输入端;

一第九PMOS管,栅极连接所述第八PMOS管的漏极,漏极连接所述串联调整功率管的栅极,源极连接所述电源输入端;

当负载电路为正常工作状态下的工作模式,令所述第一控制信号为低电平,则所述第二控制信号为高电平,通过所述偏置电路输出端输出的偏置电流,所述误差放大器的差分对正常工作;

当负载电路为待机状态下的待机模式,令所述第一控制信号为高电平,则所述第二控制信号为低电平,此时所述第六PMOS管和所述第九PMOS管断开,所述误差放大器的差分对电流减少。

2.如权利要求1所述的低功耗快速瞬态响应的低压差线性稳压器电路,其特征在于,还包括一负载瞬态响应增强电路,所述负载瞬态响应增强电路包括:

一第一电容,一端连接所述偏置电路的输出端,另一端连接所述电路输出端。

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