[发明专利]刻蚀设备及刻蚀方法有效
| 申请号: | 202111472553.3 | 申请日: | 2021-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN113889395B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | 张军;徐惠芬 | 申请(专利权)人: | 北京芯愿景软件技术股份有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 尹红敏 |
| 地址: | 100095 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 刻蚀 设备 方法 | ||
1.一种刻蚀设备,用于对多个待刻蚀对象进行并行刻蚀,其特征在于,所述刻蚀设备包括:
刻蚀腔室,包括用于对所述刻蚀对象进行刻蚀的刻蚀空间,所述刻蚀空间用于容纳多个所述待刻蚀对象;
至少一个移动部件,可移动地设置于所述刻蚀腔室;
控制模块,用于根据所述待刻蚀对象的所需刻蚀时间控制所述移动部件移动,以使多个所述待刻蚀对象依次暴露于所述刻蚀空间内;
所述控制模块被配置为根据所述待刻蚀对象的工艺信息和/或用户指令,控制所述移动部件移动,以改变至少一个所述待刻蚀对象的暴露状态;
所述暴露状态包括:所述待刻蚀对象暴露于所述刻蚀空间内的第一状态,以及所述待刻蚀对象隔离于所述刻蚀空间的第二状态;所述控制模块用于按照所述所需刻蚀时间由长至短或由短至长的顺序控制所述移动部件移动,以使所述待刻蚀对象按照所述所需刻蚀时间由长至短或由短至长的顺序依次改变所述暴露状态;
所述待刻蚀对象为芯片。
2.根据权利要求1所述的刻蚀设备,其特征在于,所述控制模块用于独立的控制各所述移动部件移动,以使所述待刻蚀对象独立的进行刻蚀。
3.根据权利要求1~2任一项所述的刻蚀设备,其特征在于,还包括:
承载部件,设置于所述刻蚀腔室,具有用于承载所述待刻蚀对象的承载面;
刻蚀能量源,沿垂直于所述承载面的第一方向,所述刻蚀能量源与所述承载面之间具有间隔。
4.根据权利要求3所述的刻蚀设备,其特征在于,所述刻蚀能量源包括激光光源、高能粒子源、电极中的至少一者。
5.根据权利要求3所述的刻蚀设备,其特征在于,所述承载面包括多个第一承载区域,各所述第一承载区域分别用于承载各所述待刻蚀对象;
所述移动部件与所述承载部件连接,以带动所述承载部件移动,所述控制模块被配置为控制所述移动部件驱使所述承载部件移动,以使各所述第一承载区域依次暴露于所述刻蚀空间。
6.根据权利要求5所述的刻蚀设备,其特征在于,所述承载面包括多个第一承载区域,各所述第一承载区域分别用于承载各所述待刻蚀对象;
所述移动部件包括可移动地设置于所述刻蚀空间的遮挡部件,所述控制模块被配置为控制所述遮挡部件移动至所述第一承载区域和所述刻蚀能量源之间,以使所述遮挡部件能够遮挡预设数量的所述第一承载区域内的所述待刻蚀对象。
7.根据权利要求6所述的刻蚀设备,其特征在于,
多个所述第一承载区域沿与所述第一方向相交的第二方向依次排列;
所述遮挡部件为多个,所述控制模块被配置为控制多个所述遮挡部件拼接形成遮挡状态、非遮挡状态和介于所述遮挡状态和所述非遮挡状态之间的部分遮挡状态,所述遮挡状态在所述承载面上的正投影面积大于所述部分遮挡状态在所述承载面上的正投影面积。
8.根据权利要求3所述的刻蚀设备,其特征在于,所述刻蚀能量源包括第一电极,所述刻蚀设备还包括:
第二电极,所述第一电极、所述承载部件及所述第二电极三者沿所述第一方向依次设置;
所述控制模块用于控制所述移动部件以使所述待刻蚀对象暴露于所述第一电极和所述第二电极之间。
9.根据权利要求3所述的刻蚀设备,其特征在于,所述承载部件包括:
基座,设置于所述刻蚀腔室,所述基座包括容纳空间及与所述容纳空间连通的开口;
承载板,可移动地设置于所述容纳空间,所述控制模块被配置为控制所述承载板由所述开口移出所述容纳空间并暴露于所述刻蚀空间内。
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