[发明专利]氮化铜粉体制备方法

说明书

本发明公开了一种氮化铜粉体制备方法，包括：构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层，牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性；在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长；改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜；对得到的单独薄膜进行清洗并干燥处理，再通过研磨、过筛，得到氮化铜粉体。通过上述方法，得到独立的薄膜，并在薄膜的基础上进行研磨、过筛，从而得到氮化铜粉体，此方法相对现有方法，加热温度小、无需加压，从而耗能小，更具有环保性，且操作简便、实用性强、优产等诸多优点，具有很高的应用前景。

技术领域

本发明涉及材料技术领域，特别指一种氮化铜粉体制备方法。

背景技术

氮化铜不但可以作为一种新型的半导体材料具有很好的光电特性，氮化铜在热处理后会反应生成高质量的铜，这种高质量的铜具有较好的导电性和致密度，配合集成电路印刷工艺，可以将氮化铜浆料以铜导体前驱体的形式形成电路电极、导线结构，可用于集成电路芯片制造、封装等。通过氮化铜浆料的方式印刷铜电极前驱体能够减小空气对铜的氧化效果，增强铜导体电极的抗氧化性，提供高质量的铜导体。其中，制造氮化铜浆料必须拥有氮化铜粉体的制造技术。

如公开号为CN102491290A的中国发明专利公开说明书提出了一种氮化铜粉体制备方法，包括以下步骤：以铜氧化物、铜盐为原料加入到耐高压反应器中，排出反应器内空气后，同时向反应器中加入溶剂介质以及氮化剂，对反应器进行加热升温至50~350℃，反应器压力保持在0.1~35.0Mpa，并在该状态下反应0.5~5.0h，在加热状态下，降低反应器内压力至0~0.5Mpa，分离出固体粉末，即得到粉末状氮化铜。该方法在超(近)临界体系中制备氮化铜粉体，制备过程简单，制备方法对原料的适用性强，所得氮化铜较纯净。但是上述方法需要耗费大量能量，而且需要加压，制备过程具有一定风险。

发明内容

发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种制造方法简单、耗能少的氮化铜粉体制备方法。

技术方案：一种氮化铜粉体制备方法，包括：

构建衬底，所述衬底包括至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层，牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性；

在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长；

改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜；

对得到的单独薄膜进行清洗并干燥处理，再通过研磨、过筛，得到氮化铜粉体。

进一步地，还包括以下步骤：

对过筛后的氮化铜粉体进行二次干燥，所述二次干燥在真空或者氮气环境下进行，温度为50-80摄氏度，时间3-10h。

进一步地，构建所述衬底后对所述衬底进行清洗，包括以下步骤：

去离子水、有机溶剂反复冲洗3-5次，且最后一次冲洗为去离子水清洗。

进一步地，所述清洗方式为冲洗或超声清洗。

进一步地，所述外界条件改变包括改变潮湿度、酸碱性或温度致使牺牲层失去原有连接性的条件，改变外界条件包括液体浸泡、加热或降温。

进一步地，牺牲层为氧化物或有机粘性物质，改变外界条件包括被腐蚀或者失去粘性物质。

进一步地，通过PECVD、氧化反应或旋涂方式构建所述牺牲层。

进一步地，对分离后得到的单独薄膜进行清洗，包括以下步骤：

用去离子水、有机溶剂依次反复冲洗3-5次，且最后一次冲洗为去离子水冲洗。

进一步地，对清洗后的薄膜进行干燥，包括以下步骤：

在真空或者氮气环境中干燥3-10h，温度保持为50-80摄氏度。

进一步地，其中，用于冲洗的有机溶剂为乙醇、丙酮或异丙醇等有机溶剂。