[发明专利]氮化铜粉体制备方法

权利要求书

1.一种氮化铜粉体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

构建衬底，所述衬底包括至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层，牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性；

在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长；

改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜；

对得到的单独薄膜进行清洗并干燥处理，再通过研磨、过筛，得到氮化铜粉体。

2.如权利要求1所述的氮化铜粉体制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

对过筛后的氮化铜粉体进行二次干燥，所述二次干燥在真空或者氮气环境下进行，温度为50-80摄氏度，时间3-10h。

3.根据权利要求1所述的氮化铜粉体制备方法，其特征在于：构建所述衬底后对所述衬底进行清洗，包括以下步骤：

去离子水、有机溶剂反复冲洗3-5次，且最后一次冲洗为去离子水清洗。

4.根据权利要求3所述的氮化铜粉体制备方法，其特征在于：所述清洗方式为冲洗或超声清洗。

5.根据权利要求1所述的氮化铜粉体制备方法，其特征在于：所述外界条件改变包括改变潮湿度、酸碱性或温度致使牺牲层失去原有连接性的条件，改变外界条件包括液体浸泡、加热或降温。

6.根据权利要求5所述的氮化铜粉体制备方法，其特征在于：牺牲层为氧化物或有机粘性物质，改变外界条件包括被腐蚀或者失去粘性物质。

7.根据权利要求6所述的氮化铜粉体制备方法，其特征在于：通过PECVD、氧化反应或旋涂方式构建所述牺牲层。

8.根据权利要求1所述的氮化铜粉体制备方法，其特征在于：对分离后得到的单独薄膜进行清洗，包括以下步骤：

用去离子水、有机溶剂依次反复冲洗3-5次，且最后一次冲洗为去离子水冲洗。

9.根据权利要求8所述的氮化铜粉体制备方法，其特征在于：对清洗后的薄膜进行干燥，包括以下步骤：

在真空或者氮气环境中干燥3-10h，温度保持为50-80摄氏度。

10.根据权利要求8所述的氮化铜粉体制备方法，其特征在于：其中，用于冲洗的有机溶剂为乙醇、丙酮或异丙醇等有机溶剂。