[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法在审
| 申请号: | 202111461837.2 | 申请日: | 2021-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN114975521A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
| 发明(设计)人: | 李姸周;姜振圭;金容勋;李龙九;郑星在 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 朴英淑 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板;
多个第一电极,配置在所述基板上;
像素定义膜,配置在所述基板上,并且使所述多个第一电极各自的上表面的一部分露出来定义多个开口区域;
间隔件,在所述多个开口区域之中的彼此相邻的两个开口区域之间配置在所述像素定义膜上;
槽,贯通所述间隔件,并且至少一部分与将位于所述两个开口区域之间的平面图上的最短距离处的两个点连接的假想直线重叠;
第一公共层,覆盖所述多个第一电极、所述像素定义膜和所述间隔件;
多个发光层,在所述第一公共层上被配置成分别与所述多个开口区域重叠;以及
第二电极,覆盖所述多个发光层和所述第一公共层。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述间隔件包围所述槽。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
所述槽在平面上具有矩形形状或十字形状。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第一公共层朝向所述槽的内部延伸。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,
所述第一公共层覆盖通过所述槽露出的所述像素定义膜的上表面。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述槽还贯通所述像素定义膜的至少一部分。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
第二公共层,配置在所述多个发光层与所述第二电极之间,并且覆盖所述多个发光层和所述第一公共层。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,
所述第二公共层朝向所述槽的内部延伸。
9.一种显示装置的制造方法,包括:
在基板上形成多个第一电极的步骤;
在所述基板上形成覆盖所述多个第一电极的有机层的步骤;
蚀刻所述有机层来形成像素定义膜、间隔件以及槽的步骤,其中,所述像素定义膜使所述多个第一电极各自的上表面的一部分露出来定义多个开口区域,所述间隔件配置在所述多个开口区域之中的彼此相邻的两个开口区域之间,并且所述槽的至少一部分与将位于所述两个开口区域之间的平面图上的最短距离处的两个点连接的假想直线重叠且贯通所述间隔件;
形成覆盖所述多个第一电极、所述像素定义膜和所述间隔件的第一公共层的步骤;
形成在所述第一公共层上被配置成分别与所述多个开口区域重叠的多个发光层的步骤;以及
形成覆盖所述多个发光层和所述第一公共层的第二电极的步骤。
10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
所述像素定义膜、所述间隔件和所述槽形成为一体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





