[发明专利]显示面板和包括该显示面板的显示装置在审
申请号: | 202111458373.X | 申请日: | 2021-12-02 |
公开(公告)号: | CN114582936A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 朴亨埈;郭源奎;赵允锺;李知恩;全珍;金成虎 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 包括 显示装置 | ||
提供了一种显示面板和包括该显示面板的显示装置,所述显示面板包括:基底;第一阻挡层,设置在基底上;屏蔽图案,设置在第一阻挡层上;第二阻挡层,覆盖屏蔽图案,并且设置在第一阻挡层上;第一有源图案,设置在第二阻挡层上,并且在平面图中与屏蔽图案叠置;栅电极,设置在第一有源图案上;发射控制线,设置在第一有源图案上,并且在平面图中与栅电极的一侧相邻;以及上补偿控制线,设置在发射控制线上,并且在平面图中与栅电极的另一侧相邻。
技术领域
发明构思的实施总体上涉及一种显示面板和包括该显示面板的显示装置。具体地,发明构思的实施总体上涉及一种包括屏蔽图案的显示面板和包括该显示面板的显示装置。
背景技术
常规的显示装置包括显示面板,并且在显示面板中设置有包括有源图案的晶体管。通过提供到显示面板的信号和电压可以在显示面板内部生成电场。包括在显示面板的有机膜层中的有机材料可能因电场而极化。极化的有机材料可能影响显示面板的有源图案的电性质。因此,可能改变晶体管的电特性。另外,极化现象可能因入射在显示面板上的光而被进一步促进。因此,常规显示装置的显示质量可能劣化。
发明内容
实施例提供了一种具有提高的显示质量的显示面板。
实施例提供了一种包括所述显示面板的显示装置。
根据实施例的显示面板可以包括:基底;第一阻挡层,设置在基底上;屏蔽图案,设置在第一阻挡层上;第二阻挡层,覆盖屏蔽图案,并且设置在第一阻挡层上;第一有源图案,设置在第二阻挡层上,并且在平面图中与屏蔽图案叠置;栅电极,设置在第一有源图案上;发射控制线,设置在第一有源图案上,并且在平面图中与栅电极的一侧相邻;以及上补偿控制线,设置在发射控制线上,并且在平面图中与栅电极的另一侧相邻。
根据实施例,屏蔽图案可以包括:第一图案;以及第二图案,连接到第一图案,并且第一图案和第二图案关于穿过第一图案和第二图案的中间的对称线对称。
根据实施例,第一图案可以包括在平面图中与栅电极叠置的第一部分。
根据实施例,第一部分可以在平面图中与栅电极完全叠置。
根据实施例,显示面板还可以包括设置在上补偿控制线上并且被提供有高电力电压的高电力电压线。第一图案还可以包括在平面图中与高电力电压线叠置的第二部分。
根据实施例,基底可以包括有机膜层。
根据实施例,屏蔽图案可以包括非晶硅。
根据实施例,显示面板还可以包括设置在发射控制线上的第二有源图案。第一有源图案可以包括多晶硅,并且第二有源图案可以包括氧化物半导体。
根据实施例,可以在第一有源图案中掺杂正离子,并且可以在屏蔽图案中掺杂正离子。
根据实施例,可以在第一有源图案中掺杂正离子,并且可以在屏蔽图案中掺杂负离子。
根据实施例,恒定电压可以施加到屏蔽图案。
根据实施例,屏蔽图案可以是电浮置的。
根据实施例,显示面板还可以包括:第三阻挡层,设置在基底下面;以及有机膜层,设置在第三阻挡层下面。
根据实施例,第一阻挡层的厚度可以小于第二阻挡层的厚度。
根据实施例,第三阻挡层的厚度可以等于第一阻挡层的厚度与第二阻挡层的厚度之和。
根据实施例,显示面板还可以包括:第二有源图案,设置在发射控制线上;以及下补偿控制线,设置在栅电极与第二有源图案之间。上补偿控制线可以在平面图中与下补偿控制线叠置,并且可以电连接到下补偿控制线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的