[发明专利]一种具有网状结构的钨铋酸薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111451837.4 申请日: 2021-12-01
公开(公告)号: CN114134461A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 孙书杰;薛颖珊;杨东晓;裴卓远;申俊雅;孙晓甜;殷小丰;房良;夏燕杰;田永尚 申请(专利权)人: 信阳师范学院
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/28;C23C14/02;C23C14/54;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 苏州九方专利代理事务所(特殊普通合伙) 32398 代理人: 张文婷
地址: 464000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 网状结构 钨铋酸 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种具有网状结构的Bi2WO6薄膜,其特征在于,所述Bi2WO6薄膜包括多个纵向纳米线和多个横向纳米线,所述纵向纳米线和所述横向纳米线形状相同,并相互交错、相互层叠,从而形成所述网状结构。

2.一种根据权利要求1所述的具有网状结构的Bi2WO6薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

(1)对衬底进行抛光处理和等离子清洗;

(2)采用Bi2WO6陶瓷靶材,通过脉冲激光沉积系统在清洗好的所述衬底上生长所述Bi2WO6薄膜。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述衬底为SrTiO3、LaAlO3、LSAT或0.7wt%Nb:SrTiO3

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述脉冲激光沉积系统中,激光器为KrF准分子激光器,激光波长248nm,通过设定所述激光器的参数,使得所述靶材表面的激光能量密度为1J/cm2

5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括,在生长所述Bi2WO6薄膜前,先设定所述Bi2WO6薄膜的生长条件,即调整所述靶材的表面与所述脉冲激光沉积系统中加热器的表面之间的距离为50mm,并设定所述加热器的温度和所述Bi2WO6薄膜的生长环境氧压。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述加热器的温度设定为550-650℃。

7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述加热器的温度设定为600-625℃。

8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述氧压设定为10-20Pa。

9.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述氧压设定为14-16Pa。

10.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括,待所述生长条件稳定后,将激光脉冲频率设定为2-10Hz,并设定脉冲激光数量,以改变所述Bi2WO6薄膜的厚度。

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