[发明专利]晶圆清洗设备和晶圆清洗方法在审
申请号: | 202111446846.4 | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN114188245A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 吴俊桃;章志兴;刘本锋;谢志勇 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/08;B08B13/00 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 高东 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 设备 方法 | ||
本申请公开一种晶圆清洗设备和晶圆清洗方法,晶圆清洗设备包括承载件,所述承载件用于承载晶圆并携带所述晶圆旋转;喷洒组件,所述喷洒组件与清洗介质源连通,且所述喷洒组件位于所述承载件的上方,所述喷洒组件用于与所述承载件同步旋转且向承载于所述承载件上的所述晶圆喷洒清洗介质;控温组件,所述控温组件安装于所述承载件的承载面上,且所述控温组件位于所述承载件以及承载于所述承载件上的所述晶圆之间,用于调节所述晶圆的温度。上述技术方案能够解决因目前为干燥晶圆需在晶圆背面喷洒热的去离子水,导致晶圆的背面存在被污染的情况。
技术领域
本申请属于半导体加工技术领域,具体涉及一种晶圆清洗设备和晶圆清洗方法。
背景技术
在晶圆加工的过程中,通常需要对晶圆进行清洗,以去除晶圆正面的杂质。在晶圆的清洗过程中,通常会用到去离子水,为了保证晶圆在清洗完成之后能够处于较为干燥的状态,且温度不会出现明显的降低,通常需要在晶圆的背面喷洒热的去离子水,以通过背面加热晶圆的方式,使晶圆正面的干燥程度加高。但是,在采用这种干燥方式时,通常会造成晶圆背面的去离子水无法去除干净而污染晶圆的问题。
发明内容
本申请公开一种晶圆清洗设备和晶圆清洗方法,能够解决因目前为干燥晶圆需在晶圆背面喷洒热的去离子水,导致晶圆的背面存在被污染的情况。
为了解决上述问题,本申请实施例是这样实现地:
第一方面,本申请实施例提供了一种晶圆清洗设备,其包括:
承载件,所述承载件用于承载晶圆并携带所述晶圆旋转;
喷洒组件,所述喷洒组件与清洗介质源连通,且所述喷洒组件位于所述承载件的上方,所述喷洒组件用于与所述承载件同步旋转且向承载于所述承载件上的所述晶圆喷洒清洗介质;
控温组件,所述控温组件安装于所述承载件的承载面上,且所述控温组件位于所述承载件以及承载于所述承载件上的所述晶圆之间,用于调节所述晶圆的温度。
第二方面,本申请实施例提供了一种晶圆清洗方法,应用于晶圆清洗设备,晶圆清洗方法包括:
将晶圆传输至所述承载件上,控制所述承载件携带所述晶圆旋转;
控制所述喷洒组件与所述承载件同步旋转,且向所述晶圆喷洒清洗液;
控制所述喷洒组件停止向所述晶圆喷洒所述清洗液,之后向所述晶圆喷洒置换液,且控制所述控温组件调节所述晶圆的温度保持在第一预设温度范围内;
控制所述喷洒组件停止向所述晶圆喷洒所述置换液,之后向所述晶圆喷洒干燥气体,且控制所述控温组件调节所述晶圆的温度保持在第二预设温度范围内。
本申请实施例公开一种晶圆清洗设备,其包括承载件、喷洒组件和控温组件,其中,喷洒组件能够向承载在承载件上的晶圆喷洒清洗介质,以清洗或吹扫晶圆的一侧;并且,控温组件位于承载件和承载于承载件上的晶圆之间,以调节晶圆的温度,从而使喷洒在晶圆一侧的液态的清洗介质可以在控温组件的作用下蒸发(或挥发),以在防止晶圆背面被污染的同时,使晶圆的正面具有较好的干燥效果,得到清洁且干燥的晶圆。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1是本申请实施例公开的晶圆清洗设备的结构示意图;
图2是本申请实施例公开的晶圆清洗设备中喷洒头的结构示意图;
图3是本申请实施例公开的晶圆清洗设备中本体的结构示意图;
图4是本申请实施例公开的晶圆清洗方法的流程图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111446846.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造