[发明专利]一种氮化镓基激光器制备方法和氮化镓基激光器

权利要求书

1.一种氮化镓基激光器制备方法，其特征在于，包括：

在衬底(1)的上表面制作n型限制层(2)；

在第一预设生长环境中在所述n型限制层(2)的上表面制作下波导层(3)；

在所述下波导层(3)的上表面制作量子阱有源区(4)；

在第二预设生长环境中在所述量子阱有源区(4)的上表面制作上波导层(5)；

在所述上波导层(5)的上表面依次制作p型电子阻挡层(6)、p型限制层(7)、p型欧姆接触层(8)和p型欧姆电极(9)；

在所述衬底(1)的下表面制作n型欧姆接触电极(10)，完成所述激光器的制备。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器制备方法，其特征在于，所述下波导层(3)的材料包括铟组分为2％-5％的n型铟镓氮材料，所述下波导层(3)的厚度为0.05-0.12μm。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器制备方法，其特征在于，所述上波导层(5)的材料包括不掺杂的铟镓氮和轻掺杂的铟镓氮中任一种，所述上波导层(5)的厚度为0.05-0.15μm。

4.根据权利要求2所述的氮化镓基激光器制备方法，其特征在于，所述第一预设生长环境包括：生长温度为800℃～900℃，三甲基铟流量为：2.8～8.0μmol/min。

5.根据权利要求3所述的氮化镓基激光器制备方法，其特征在于，所述第二预设生长环境包括：生长温度为：700℃～830℃，铟和镓的摩尔流量比大于0.75，生长速率小于0.025nm/s。

6.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器制备方法，其特征在于，所述衬底(1)的材料包括氮化镓，所述衬底(1)的厚度为0.3-4μm。

7.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器制备方法，其特征在于，所述在所述上波导层(5)的上表面依次制作p型电子阻挡层(6)、p型限制层(7)、p型欧姆接触层(8)和p型欧姆电极(9)，具体包括：

在所述上波导层(5)上表面依次制作p型电子阻挡层(6)、p型限制层(7)和p型欧姆接触层(8)；

将所述p型电子阻挡层(6)、p型限制层(7)和p型欧姆接触层(8)刻蚀为预设形状；

在所述p型欧姆接触层(8)上表面制作p型欧姆电极(9)。

8.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器制备方法，其特征在于，

所述n型限制层(2)的材料包括铝组分为7％-15％的n型铝镓氮材料，所述n型限制层(2)的厚度为0.6-2.5μm；

所述p型限制层(7)的材料包括铝组分为7％-15％的p型铝镓氮材料，所述p型限制层(7)的厚度为0.45-0.65μm。

9.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器制备方法，其特征在于，所述p型电子阻挡层(6)的材料包括铝组分为5％-30％的重掺杂的铝镓氮材料，所述p型电子阻挡层(6)的厚度为0.01-0.025μm。

10.一种氮化镓基激光器，采用如权利要求1-9任一项所述的氮化镓基激光器制备方法制作而成，其特征在于，包括：

衬底(1)；

n型限制层(2)，形成于所述衬底(1)的上表面；

下波导层(3)，形成于所述n型限制层(2)的上表面；

量子阱有源区(4)，形成于述下波导层(3)的上表面；

上波导层(5)，形成于所述量子阱有源区(4)的上表面；

p型电子阻挡层(6)，形成于所述上波导层(5)的上表面；

p型限制层(7)，形成于所述p型电子阻挡层(6)的上表面；

p型欧姆接触层(8)，形成于所述p型限制层(7)的上表面；

p型欧姆电极(9)，形成于所述p型欧姆接触层(8)的上表面；

n型欧姆接触电极(10)，形成于所述衬底(1)的下表面；

所述p型电子阻挡层(6)、p型限制层(7)和p型欧姆接触层(8)为预设形状。